Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Якунин, М.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г, Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Электронные свойства низкоразмерных систем
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127533
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г Шелушинина, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 211-216. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Прецизионное сканирование плоскости (B ,B||) между проекциями магнитного поля перпендикулярно и параллельно слоям двойной квантовой ямы (ДКЯ) n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) при измерениях ее продольного магнитосопротивления (МС) позволяет выявить ряд особенностей, обусловленных сложным энергетическим...