Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
Прецизионное сканирование плоскости (B ,B||) между проекциями магнитного поля перпендикулярно и параллельно слоям двойной квантовой ямы (ДКЯ) n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) при измерениях ее продольного магнитосопротивления (МС) позволяет выявить ряд особенностей, обусловленных сложным энергетическим...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | Якунин, М.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г, Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127533 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г Шелушинина, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 211-216. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2013)
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Lytovchenko, et al.
Published: (2013)
by: N. M. Lytovchenko, et al.
Published: (2013)
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
by: Гудина, С.В., et al.
Published: (2013)
by: Гудина, С.В., et al.
Published: (2013)
Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
by: Fodchuk, I.M., et al.
Published: (2003)
by: Fodchuk, I.M., et al.
Published: (2003)
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2007)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2007)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
by: Боцула, О.В., et al.
Published: (2008)
by: Боцула, О.В., et al.
Published: (2008)
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2014)
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2014)
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2014)
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2014)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
by: D. V. Kondriuk, et al.
Published: (2015)
by: D. V. Kondriuk, et al.
Published: (2015)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
by: Савельев, А.П., et al.
Published: (2017)
by: Савельев, А.П., et al.
Published: (2017)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
by: Holovatsky, V.A., et al.
Published: (2018)
by: Holovatsky, V.A., et al.
Published: (2018)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
by: Tkach, M.V., et al.
Published: (2001)
by: Tkach, M.V., et al.
Published: (2001)
Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
by: Сизов, Ф.Ф., et al.
Published: (2009)
by: Сизов, Ф.Ф., et al.
Published: (2009)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
by: V. V. Korotyeyev
Published: (2015)
by: V. V. Korotyeyev
Published: (2015)
Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
by: Sghaier, H., et al.
Published: (2012)
by: Sghaier, H., et al.
Published: (2012)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2003)
Опыт подработки наклонных стволов
by: Кулибаба, С.Б.
Published: (2010)
by: Кулибаба, С.Б.
Published: (2010)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
by: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Published: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2004)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
by: Николаенко, Ю.Е., et al.
Published: (2002)
Транспорт, магнитотранспорт и ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках
by: Кульбачинский, В.А., et al.
Published: (2007)
by: Кульбачинский, В.А., et al.
Published: (2007)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)
Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2004)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2004)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017)
by: Кулик, Л.В., et al.
Published: (2017)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
Similar Items
-
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013) -
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2013) -
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Lytovchenko, et al.
Published: (2013) -
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015) -
Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
by: Гудина, С.В., et al.
Published: (2013)