Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
Прецизионное сканирование плоскости (B ,B||) между проекциями магнитного поля перпендикулярно и параллельно слоям двойной квантовой ямы (ДКЯ) n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2)
 при измерениях ее продольного магнитосопротивления (МС) позволяет выявить ряд особенностей, обусловленных сложным энерге...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | Якунин, М.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г, Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127533 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях / М.В. Якунин, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Г.И. Харус, Н.Г Шелушинина, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 211-216. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
by: Klimovskaya, A.I., et al.
Published: (2002)
by: Klimovskaya, A.I., et al.
Published: (2002)
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2013)
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Lytovchenko, et al.
Published: (2013)
by: N. M. Lytovchenko, et al.
Published: (2013)
Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
by: Гудина, С.В., et al.
Published: (2013)
by: Гудина, С.В., et al.
Published: (2013)
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2004)
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2004)
Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
by: Fodchuk, I.M., et al.
Published: (2003)
by: Fodchuk, I.M., et al.
Published: (2003)
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
by: Litovchenko, N. M., et al.
Published: (2018)
by: Litovchenko, N. M., et al.
Published: (2018)
Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
by: Vakulenko, O.V., et al.
Published: (2022)
by: Vakulenko, O.V., et al.
Published: (2022)
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
Квантовый эффект Холла в двойной квантовой яме InAs/AlSb
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2009)
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2009)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2007)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2007)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
by: Боцула, О.В., et al.
Published: (2008)
by: Боцула, О.В., et al.
Published: (2008)
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2014)
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2014)
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2014)
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2014)
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
by: D. V. Kondriuk, et al.
Published: (2015)
by: D. V. Kondriuk, et al.
Published: (2015)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
by: Савельев, А.П., et al.
Published: (2017)
by: Савельев, А.П., et al.
Published: (2017)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
by: Korotyeyev, V.V.
Published: (2015)
by: Korotyeyev, V.V.
Published: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)
by: Kondryuk, D.V., et al.
Published: (2015)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
by: Holovatsky, V.A., et al.
Published: (2018)
by: Holovatsky, V.A., et al.
Published: (2018)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
by: Tkach, M.V., et al.
Published: (2001)
by: Tkach, M.V., et al.
Published: (2001)
Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
by: Dmitruk, N.L., et al.
Published: (2005)
by: Dmitruk, N.L., et al.
Published: (2005)
Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)
by: D. V. Kondryuk, et al.
Published: (2015)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2007)
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
by: Сизов, Ф.Ф., et al.
Published: (2009)
by: Сизов, Ф.Ф., et al.
Published: (2009)
Образование двойной квантовой ямы в самосогласованной широкой квантовой яме p-типа
by: Альшанский, Г.А., et al.
Published: (2004)
by: Альшанский, Г.А., et al.
Published: (2004)
Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
by: Kondryuk, D. V., et al.
Published: (2019)
by: Kondryuk, D. V., et al.
Published: (2019)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
by: V. V. Korotyeyev
Published: (2015)
by: V. V. Korotyeyev
Published: (2015)
Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
Modeling of In₀.₁₇Ga₀.₈₃N/InₓGa₁₋ₓN/AlyGa₁₋yN light emitting diode structure on ScAlMgO₄ (0001) substrate for high intensity red emission
by: Hussain, S., et al.
Published: (2020)
by: Hussain, S., et al.
Published: (2020)
Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
by: Клепикова, А.С., et al.
Published: (2017)
by: Клепикова, А.С., et al.
Published: (2017)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
Similar Items
-
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013) -
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
by: Klimovskaya, A.I., et al.
Published: (2002) -
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015) -
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2013) -
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Lytovchenko, et al.
Published: (2013)