Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2007
• Автор: Новокшонов, С.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Теми: Электронные свойства низкоразмерных систем
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127534
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках / С.Г. Новокшонов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 174-181 — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Исследовано явление слабой локализации в квазидвумерной неупорядоченной многослойной структуре в поперечном магнитном поле. Сделано предположение, что когерентное туннелирование электронов между слоями настолько слабое, что сверхрешеточные минизоны не образуются, а основной вклад в вероятности переходов электронов между слоями вносит их
 рассеяние в случайном поле примесей. Получены аналитические выражения для интерференционных поправок к продольному сопротивлению системы, содержащей произвольное конечное количество слоев, в случае изолирующих краевых условий. Показано, что рассеяние электронов между слоями оказывает пренебрежимо малое влияние на диффузионный
 магнитотранспорт, но заметно уменьшает эффект слабой локализации, играя роль дополнительного механизма сбоя фазы. Проанализировано влияние краевых условий на эффект слабой
 локализации в многослойной структуре в зависимости от количества слоев. Полученные результаты хорошо описывают отрицательное магнитосопротивление в естественных сверхрешетках Nd₁₋xCexCuO₄ выше критической температуры. Досліджено явище слабкої локалізації у квазідвовимірній неупорядкованій багатошаровій
 структурі в поперечному магнітному полі. Зроблено припущення, що когерентне тунелювання
 електронів між шарами настільки слабке, що надграткові мінізони не утворюються, а основний
 внесок в імовірності переходів електронів між шарами вносить їхнє розсіювання у випадковому полі домішок. Отримано аналітичний вираз для інтерференційних виправлень до поздовжнього опору системи, що містить довільну кінцеву кількість шарів, у випадку ізолюючих крайових умов. Показано, що розсіювання електронів між шарами робить нехтовно малий вплив
 на дифузійний магнітотранспорт, але помітно зменшує ефект слабкої локалізації, відіграючи
 роль додаткового механізму збою фази. Проаналізовано вплив крайових умов на ефект слабкої
 локалізації в багатошаровій структурі залежно від кількості шарів. Отримані результати добре
 описують негативний магнітоопір в природних надгратках Nd₁₋xCexCuO₄ вище критичної температури. The weak localization phenomenon in a quasitwo-dimensional
 disordered system in orthogonal
 magnetic field is investigated. It is assumed that
 the coherent electron tunelling between the layers
 is so weak that there occure no superlattice
 minibands, and the main contribution to the
 probabilities of interlayer transition of electrons
 is made by their scattering in a random impurity
 field. In the case of insulating boundary conditions,
 analytical expressions for interference corrections
 to longitudinal resistivity of the system
 with an arbitrary finite number of layers are obtained.
 It is shown that the interlayer electron
 scattering has a negligible influence on the diffusion
 magnetotransport, but it markedly diminishes
 the weak localization effect as an additional
 mechanism of the phase relaxation. The
 influence of boundary conditions on the effect
 of weak localization in the multilayers structure
 depending on the number of layers is analysed.
 The obtained results describe well the negative
 magnetoresistance in the natural superlattices of
 Nd₁₋xCexCuO₄ above the critical temperature.