Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках
Исследовано явление слабой локализации в квазидвумерной неупорядоченной многослойной структуре в поперечном магнитном поле. Сделано предположение, что когерентное туннелирование электронов между слоями настолько слабое, что сверхрешеточные минизоны не образуются, а основной вклад в вероятности перех...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127534 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках / С.Г. Новокшонов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 174-181 — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862728085098463232 |
|---|---|
| author | Новокшонов, С.Г. |
| author_facet | Новокшонов, С.Г. |
| citation_txt | Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках / С.Г. Новокшонов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 174-181 — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследовано явление слабой локализации в квазидвумерной неупорядоченной многослойной структуре в поперечном магнитном поле. Сделано предположение, что когерентное туннелирование электронов между слоями настолько слабое, что сверхрешеточные минизоны не образуются, а основной вклад в вероятности переходов электронов между слоями вносит их
рассеяние в случайном поле примесей. Получены аналитические выражения для интерференционных поправок к продольному сопротивлению системы, содержащей произвольное конечное количество слоев, в случае изолирующих краевых условий. Показано, что рассеяние электронов между слоями оказывает пренебрежимо малое влияние на диффузионный
магнитотранспорт, но заметно уменьшает эффект слабой локализации, играя роль дополнительного механизма сбоя фазы. Проанализировано влияние краевых условий на эффект слабой
локализации в многослойной структуре в зависимости от количества слоев. Полученные результаты хорошо описывают отрицательное магнитосопротивление в естественных сверхрешетках Nd₁₋xCexCuO₄ выше критической температуры.
Досліджено явище слабкої локалізації у квазідвовимірній неупорядкованій багатошаровій
структурі в поперечному магнітному полі. Зроблено припущення, що когерентне тунелювання
електронів між шарами настільки слабке, що надграткові мінізони не утворюються, а основний
внесок в імовірності переходів електронів між шарами вносить їхнє розсіювання у випадковому полі домішок. Отримано аналітичний вираз для інтерференційних виправлень до поздовжнього опору системи, що містить довільну кінцеву кількість шарів, у випадку ізолюючих крайових умов. Показано, що розсіювання електронів між шарами робить нехтовно малий вплив
на дифузійний магнітотранспорт, але помітно зменшує ефект слабкої локалізації, відіграючи
роль додаткового механізму збою фази. Проаналізовано вплив крайових умов на ефект слабкої
локалізації в багатошаровій структурі залежно від кількості шарів. Отримані результати добре
описують негативний магнітоопір в природних надгратках Nd₁₋xCexCuO₄ вище критичної температури.
The weak localization phenomenon in a quasitwo-dimensional
disordered system in orthogonal
magnetic field is investigated. It is assumed that
the coherent electron tunelling between the layers
is so weak that there occure no superlattice
minibands, and the main contribution to the
probabilities of interlayer transition of electrons
is made by their scattering in a random impurity
field. In the case of insulating boundary conditions,
analytical expressions for interference corrections
to longitudinal resistivity of the system
with an arbitrary finite number of layers are obtained.
It is shown that the interlayer electron
scattering has a negligible influence on the diffusion
magnetotransport, but it markedly diminishes
the weak localization effect as an additional
mechanism of the phase relaxation. The
influence of boundary conditions on the effect
of weak localization in the multilayers structure
depending on the number of layers is analysed.
The obtained results describe well the negative
magnetoresistance in the natural superlattices of
Nd₁₋xCexCuO₄ above the critical temperature.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:06:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127534 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:06:40Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Новокшонов, С.Г. 2017-12-23T21:34:42Z 2017-12-23T21:34:42Z 2007 Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках / С.Г. Новокшонов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 174-181 — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.15.Rn, 72.15.Gd, 73.21.Ac, 73.21.Cd https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127534 Исследовано явление слабой локализации в квазидвумерной неупорядоченной многослойной структуре в поперечном магнитном поле. Сделано предположение, что когерентное туннелирование электронов между слоями настолько слабое, что сверхрешеточные минизоны не образуются, а основной вклад в вероятности переходов электронов между слоями вносит их
 рассеяние в случайном поле примесей. Получены аналитические выражения для интерференционных поправок к продольному сопротивлению системы, содержащей произвольное конечное количество слоев, в случае изолирующих краевых условий. Показано, что рассеяние электронов между слоями оказывает пренебрежимо малое влияние на диффузионный
 магнитотранспорт, но заметно уменьшает эффект слабой локализации, играя роль дополнительного механизма сбоя фазы. Проанализировано влияние краевых условий на эффект слабой
 локализации в многослойной структуре в зависимости от количества слоев. Полученные результаты хорошо описывают отрицательное магнитосопротивление в естественных сверхрешетках Nd₁₋xCexCuO₄ выше критической температуры. Досліджено явище слабкої локалізації у квазідвовимірній неупорядкованій багатошаровій
 структурі в поперечному магнітному полі. Зроблено припущення, що когерентне тунелювання
 електронів між шарами настільки слабке, що надграткові мінізони не утворюються, а основний
 внесок в імовірності переходів електронів між шарами вносить їхнє розсіювання у випадковому полі домішок. Отримано аналітичний вираз для інтерференційних виправлень до поздовжнього опору системи, що містить довільну кінцеву кількість шарів, у випадку ізолюючих крайових умов. Показано, що розсіювання електронів між шарами робить нехтовно малий вплив
 на дифузійний магнітотранспорт, але помітно зменшує ефект слабкої локалізації, відіграючи
 роль додаткового механізму збою фази. Проаналізовано вплив крайових умов на ефект слабкої
 локалізації в багатошаровій структурі залежно від кількості шарів. Отримані результати добре
 описують негативний магнітоопір в природних надгратках Nd₁₋xCexCuO₄ вище критичної температури. The weak localization phenomenon in a quasitwo-dimensional
 disordered system in orthogonal
 magnetic field is investigated. It is assumed that
 the coherent electron tunelling between the layers
 is so weak that there occure no superlattice
 minibands, and the main contribution to the
 probabilities of interlayer transition of electrons
 is made by their scattering in a random impurity
 field. In the case of insulating boundary conditions,
 analytical expressions for interference corrections
 to longitudinal resistivity of the system
 with an arbitrary finite number of layers are obtained.
 It is shown that the interlayer electron
 scattering has a negligible influence on the diffusion
 magnetotransport, but it markedly diminishes
 the weak localization effect as an additional
 mechanism of the phase relaxation. The
 influence of boundary conditions on the effect
 of weak localization in the multilayers structure
 depending on the number of layers is analysed.
 The obtained results describe well the negative
 magnetoresistance in the natural superlattices of
 Nd₁₋xCexCuO₄ above the critical temperature. Автор признателен Г.М. Минькову и А.И. Пономареву, привлекших его внимание к этой задаче, а
 также за плодотворное обсуждение результатов. Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант
 04-02-16614. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электронные свойства низкоразмерных систем Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках Weak localization in multilayer structures and superlattices Article published earlier |
| spellingShingle | Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках Новокшонов, С.Г. Электронные свойства низкоразмерных систем |
| title | Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках |
| title_alt | Weak localization in multilayer structures and superlattices |
| title_full | Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках |
| title_fullStr | Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках |
| title_full_unstemmed | Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках |
| title_short | Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках |
| title_sort | слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках |
| topic | Электронные свойства низкоразмерных систем |
| topic_facet | Электронные свойства низкоразмерных систем |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127534 |
| work_keys_str_mv | AT novokšonovsg slabaâlokalizaciâvmnogosloinyhstrukturahisverhrešetkah AT novokšonovsg weaklocalizationinmultilayerstructuresandsuperlattices |