Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Арапов, Ю.Г., Якунин, М.В., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Подгорных, С.М., Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Электронные свойства низкоразмерных систем
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127535
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией
 электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в
 интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальная температурная зависимость
 σху(B, T) в области ωсτ = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых
 магнитных полях. У подвійній квантовій ямі n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурні залежності поздовжнього опору ρxx(Т ) 2D-електронного газу з низькою рухливістю й концентрацією електронів
 поблизу переходу метал—діелектрик В = 0 мають «діелектричний» характер в інтервалі температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальна температурна залежність σху(B, T) в області
 ωсτ = 1 приводить до ряду особливостей переходу від режиму слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії до режиму квантового ефекту Холла в слабких магнітних полях. The resistivity ρxx(B, Т) for a low mobility
 dilute 2D elecron gas in GaAs/n-InGaAs/GaAs
 double quantum wells exhibits a monotonic «insulating-like»
 temperature dependence at T = 1,8–70 К (dρxx(T)/dT < 0) in zero magnetic
 field and (dσxy(B, T)/dT < 0) in the vicinity of
 ωcτ < 1 . This temperature interval corresponds to
 diffusive and ballistic regimes (kBTτ/h 0,1–3,8)
 for our samples. The electron density is on a
 «metallic» side (n > nc ) of the so-called B = 0 2D
 metal—insulator transition. Due to this anomalous
 σxy(B, T) T-dependence we observed some
 peculiarities of the insulator—quantum Hall
 state (with ν = 10) transition in low magnetic
 fields.