Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127535 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127535 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. 2017-12-23T21:52:30Z 2017-12-23T21:52:30Z 2007 Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.50.Jt , 71.30.+h https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127535 В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальная температурная зависимость σху(B, T) в области ωсτ = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых магнитных полях. У подвійній квантовій ямі n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурні залежності поздовжнього опору ρxx(Т ) 2D-електронного газу з низькою рухливістю й концентрацією електронів поблизу переходу метал—діелектрик В = 0 мають «діелектричний» характер в інтервалі температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальна температурна залежність σху(B, T) в області ωсτ = 1 приводить до ряду особливостей переходу від режиму слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії до режиму квантового ефекту Холла в слабких магнітних полях. The resistivity ρxx(B, Т) for a low mobility dilute 2D elecron gas in GaAs/n-InGaAs/GaAs double quantum wells exhibits a monotonic «insulating-like» temperature dependence at T = 1,8–70 К (dρxx(T)/dT < 0) in zero magnetic field and (dσxy(B, T)/dT < 0) in the vicinity of ωcτ < 1 . This temperature interval corresponds to diffusive and ballistic regimes (kBTτ/h 0,1–3,8) for our samples. The electron density is on a «metallic» side (n > nc ) of the so-called B = 0 2D metal—insulator transition. Due to this anomalous σxy(B, T) T-dependence we observed some peculiarities of the insulator—quantum Hall state (with ν = 10) transition in low magnetic fields. Работа выполнена при поддержке проектов РФФИ: № 04-02-16614, № 05-02-16206 и программы президиума РАН «Низкоразмерные квантовые гетероструктуры». ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электронные свойства низкоразмерных систем Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами Quantum effects peculiarities in 2D-structures GaAs/n-InGaAs/GaAs with double quantum wells Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| spellingShingle |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. Электронные свойства низкоразмерных систем |
| title_short |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_full |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_fullStr |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_full_unstemmed |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_sort |
особенности квантовых эффектов в 2d-структурах gaas/n-ingaas/gaas с двойными квантовыми ямами |
| author |
Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. |
| author_facet |
Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. |
| topic |
Электронные свойства низкоразмерных систем |
| topic_facet |
Электронные свойства низкоразмерных систем |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Quantum effects peculiarities in 2D-structures GaAs/n-InGaAs/GaAs with double quantum wells |
| description |
В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией
электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в
интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальная температурная зависимость
σху(B, T) в области ωсτ = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых
магнитных полях.
У подвійній квантовій ямі n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурні залежності поздовжнього опору ρxx(Т ) 2D-електронного газу з низькою рухливістю й концентрацією електронів
поблизу переходу метал—діелектрик В = 0 мають «діелектричний» характер в інтервалі температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальна температурна залежність σху(B, T) в області
ωсτ = 1 приводить до ряду особливостей переходу від режиму слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії до режиму квантового ефекту Холла в слабких магнітних полях.
The resistivity ρxx(B, Т) for a low mobility
dilute 2D elecron gas in GaAs/n-InGaAs/GaAs
double quantum wells exhibits a monotonic «insulating-like»
temperature dependence at T = 1,8–70 К (dρxx(T)/dT < 0) in zero magnetic
field and (dσxy(B, T)/dT < 0) in the vicinity of
ωcτ < 1 . This temperature interval corresponds to
diffusive and ballistic regimes (kBTτ/h 0,1–3,8)
for our samples. The electron density is on a
«metallic» side (n > nc ) of the so-called B = 0 2D
metal—insulator transition. Due to this anomalous
σxy(B, T) T-dependence we observed some
peculiarities of the insulator—quantum Hall
state (with ν = 10) transition in low magnetic
fields.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127535 |
| citation_txt |
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT arapovûg osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT âkuninmv osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT gudinasv osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT karskanoviv osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT neverovvn osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT harusgi osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT šelušininang osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT podgornyhsm osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT zvonkovbn osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT uskovaea osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT arapovûg quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT âkuninmv quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT gudinasv quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT karskanoviv quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT neverovvn quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT harusgi quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT šelušininang quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT podgornyhsm quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT zvonkovbn quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT uskovaea quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells |
| first_indexed |
2025-12-07T15:39:11Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:39:11Z |
| _version_ |
1850864515692888064 |