Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией
 электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в
 интервале температур T...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127535 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862673483561959424 |
|---|---|
| author | Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. |
| author_facet | Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. |
| citation_txt | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией
электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в
интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальная температурная зависимость
σху(B, T) в области ωсτ = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых
магнитных полях.
У подвійній квантовій ямі n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурні залежності поздовжнього опору ρxx(Т ) 2D-електронного газу з низькою рухливістю й концентрацією електронів
поблизу переходу метал—діелектрик В = 0 мають «діелектричний» характер в інтервалі температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальна температурна залежність σху(B, T) в області
ωсτ = 1 приводить до ряду особливостей переходу від режиму слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії до режиму квантового ефекту Холла в слабких магнітних полях.
The resistivity ρxx(B, Т) for a low mobility
dilute 2D elecron gas in GaAs/n-InGaAs/GaAs
double quantum wells exhibits a monotonic «insulating-like»
temperature dependence at T = 1,8–70 К (dρxx(T)/dT < 0) in zero magnetic
field and (dσxy(B, T)/dT < 0) in the vicinity of
ωcτ < 1 . This temperature interval corresponds to
diffusive and ballistic regimes (kBTτ/h 0,1–3,8)
for our samples. The electron density is on a
«metallic» side (n > nc ) of the so-called B = 0 2D
metal—insulator transition. Due to this anomalous
σxy(B, T) T-dependence we observed some
peculiarities of the insulator—quantum Hall
state (with ν = 10) transition in low magnetic
fields.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:39:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127535 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:39:11Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. 2017-12-23T21:52:30Z 2017-12-23T21:52:30Z 2007 Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.50.Jt , 71.30.+h https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127535 В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией
 электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в
 интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальная температурная зависимость
 σху(B, T) в области ωсτ = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых
 магнитных полях. У подвійній квантовій ямі n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурні залежності поздовжнього опору ρxx(Т ) 2D-електронного газу з низькою рухливістю й концентрацією електронів
 поблизу переходу метал—діелектрик В = 0 мають «діелектричний» характер в інтервалі температур T = 1,8–70 К (kBTτ/h 0,2–3,8). Аномальна температурна залежність σху(B, T) в області
 ωсτ = 1 приводить до ряду особливостей переходу від режиму слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії до режиму квантового ефекту Холла в слабких магнітних полях. The resistivity ρxx(B, Т) for a low mobility
 dilute 2D elecron gas in GaAs/n-InGaAs/GaAs
 double quantum wells exhibits a monotonic «insulating-like»
 temperature dependence at T = 1,8–70 К (dρxx(T)/dT < 0) in zero magnetic
 field and (dσxy(B, T)/dT < 0) in the vicinity of
 ωcτ < 1 . This temperature interval corresponds to
 diffusive and ballistic regimes (kBTτ/h 0,1–3,8)
 for our samples. The electron density is on a
 «metallic» side (n > nc ) of the so-called B = 0 2D
 metal—insulator transition. Due to this anomalous
 σxy(B, T) T-dependence we observed some
 peculiarities of the insulator—quantum Hall
 state (with ν = 10) transition in low magnetic
 fields. Работа выполнена при поддержке проектов
 РФФИ: № 04-02-16614, № 05-02-16206 и программы президиума РАН «Низкоразмерные квантовые
 гетероструктуры». ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электронные свойства низкоразмерных систем Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами Quantum effects peculiarities in 2D-structures GaAs/n-InGaAs/GaAs with double quantum wells Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами Арапов, Ю.Г. Якунин, М.В. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Подгорных, С.М. Звонков, Б.Н. Ускова, Е.А. Электронные свойства низкоразмерных систем |
| title | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_alt | Quantum effects peculiarities in 2D-structures GaAs/n-InGaAs/GaAs with double quantum wells |
| title_full | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_fullStr | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_full_unstemmed | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_short | Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами |
| title_sort | особенности квантовых эффектов в 2d-структурах gaas/n-ingaas/gaas с двойными квантовыми ямами |
| topic | Электронные свойства низкоразмерных систем |
| topic_facet | Электронные свойства низкоразмерных систем |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127535 |
| work_keys_str_mv | AT arapovûg osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT âkuninmv osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT gudinasv osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT karskanoviv osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT neverovvn osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT harusgi osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT šelušininang osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT podgornyhsm osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT zvonkovbn osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT uskovaea osobennostikvantovyhéffektovv2dstrukturahgaasningaasgaassdvoinymikvantovymiâmami AT arapovûg quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT âkuninmv quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT gudinasv quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT karskanoviv quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT neverovvn quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT harusgi quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT šelušininang quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT podgornyhsm quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT zvonkovbn quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells AT uskovaea quantumeffectspeculiaritiesin2dstructuresgaasningaasgaaswithdoublequantumwells |