Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2007
• Автори: Арапов, Ю.Г., Якунин, М.В., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Подгорных, С.М., Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Теми: Электронные свойства низкоразмерных систем
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127535
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 217-221. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = 0 имеют «диэлектрический» характер в интервале температур T = 1,8–70 К (kBTτ...