Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Ше, Н.Г
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Электронные свойства низкоразмерных систем
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127536
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени релаксации энергии (время сбоя фазы τφ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри Fσ0 = -0,51 амплитуда фермижидкостного взаимодействия λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0. Розділено внески в провідність модифікованої безладдям електрон-електронної взаємодії й слабкої локалізації для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix з низькою рухливістю носіїв у магнітних полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фіксованих температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К . Внесок зееманівського розщеплення в магнітоопір був врахований в електрон-електронній взаємодії, що дозволило одержати розумні значення часу релаксації енергії (час збою фази τφ)) і його степеневу температурну залежність, що передбачено теорією. Оцінено значення параметрів цих ефектів: константа взаємодії Хартри Fσ0 = -0,51, амплітуда фермірідинної взаємодії λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0. Contributions from the disorder-modified electron-electron interaction and weak localization to conductivity of low mobility p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures at 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К in magnetic field 0 ≤ B ≤2 were divided. Contributions of Zeeman splitting to magnetoresistance have been taken into consideration in the electron-electron interaction. This permitted us to obtain reasonable values of inelastic scattering time τφ and its power temperature dependence predicted by theory. The Hartree part of the interaction constant Fσ0 = -0,51, the amplitude of Fermi-liquid interaction λ = 0,40, the Lande factor g = 12.0 are estimated.