Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix

Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix

Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского расщеплени...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2007
Автори: Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Ше, Н.Г
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Теми:
Электронные свойства низкоразмерных систем
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127536
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127536
record_format dspace
spelling Арапов, Ю.Г.
Гудина, С.В.
Карсканов, И.В.
Неверов, В.Н.
Харус, Г.И.
Ше, Н.Г
2017-12-23T22:03:34Z
2017-12-23T22:03:34Z
2007
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.20.Fz, 73.21.Ac, 73.40.–c
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127536
Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени релаксации энергии (время сбоя фазы τφ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри Fσ0 = -0,51 амплитуда фермижидкостного взаимодействия λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0.
Розділено внески в провідність модифікованої безладдям електрон-електронної взаємодії й слабкої локалізації для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix з низькою рухливістю носіїв у магнітних полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фіксованих температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К . Внесок зееманівського розщеплення в магнітоопір був врахований в електрон-електронній взаємодії, що дозволило одержати розумні значення часу релаксації енергії (час збою фази τφ)) і його степеневу температурну залежність, що передбачено теорією. Оцінено значення параметрів цих ефектів: константа взаємодії Хартри Fσ0 = -0,51, амплітуда фермірідинної взаємодії λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0.
Contributions from the disorder-modified electron-electron interaction and weak localization to conductivity of low mobility p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures at 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К in magnetic field 0 ≤ B ≤2 were divided. Contributions of Zeeman splitting to magnetoresistance have been taken into consideration in the electron-electron interaction. This permitted us to obtain reasonable values of inelastic scattering time τφ and its power temperature dependence predicted by theory. The Hartree part of the interaction constant Fσ0 = -0,51, the amplitude of Fermi-liquid interaction λ = 0,40, the Lande factor g = 12.0 are estimated.
Работа выполнена при поддержке РФФИ, гранты 05-02-16206, 04-02-16614; CRDF и Министерства образования и науки РФ, грант Y1-P-05-14 (EК-05 [X1]); программы РАН «Низкоразмерные квантовые гетероструктуры»; УрО РАН, грант для молодых ученых.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электронные свойства низкоразмерных систем
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
Contributions of electron-electron interaction and weak localization to conductivity of heterostructures p-Ge/Ge₁₋xSix
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
spellingShingle Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
Арапов, Ю.Г.
Гудина, С.В.
Карсканов, И.В.
Неверов, В.Н.
Харус, Г.И.
Ше, Н.Г
Электронные свойства низкоразмерных систем
title_short Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
title_full Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
title_fullStr Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
title_full_unstemmed Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
title_sort вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-ge/ge₁₋xsix
author Арапов, Ю.Г.
Гудина, С.В.
Карсканов, И.В.
Неверов, В.Н.
Харус, Г.И.
Ше, Н.Г
author_facet Арапов, Ю.Г.
Гудина, С.В.
Карсканов, И.В.
Неверов, В.Н.
Харус, Г.И.
Ше, Н.Г
topic Электронные свойства низкоразмерных систем
topic_facet Электронные свойства низкоразмерных систем
publishDate 2007
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Contributions of electron-electron interaction and weak localization to conductivity of heterostructures p-Ge/Ge₁₋xSix
description Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени релаксации энергии (время сбоя фазы τφ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри Fσ0 = -0,51 амплитуда фермижидкостного взаимодействия λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0. Розділено внески в провідність модифікованої безладдям електрон-електронної взаємодії й слабкої локалізації для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix з низькою рухливістю носіїв у магнітних полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фіксованих температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К . Внесок зееманівського розщеплення в магнітоопір був врахований в електрон-електронній взаємодії, що дозволило одержати розумні значення часу релаксації енергії (час збою фази τφ)) і його степеневу температурну залежність, що передбачено теорією. Оцінено значення параметрів цих ефектів: константа взаємодії Хартри Fσ0 = -0,51, амплітуда фермірідинної взаємодії λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0. Contributions from the disorder-modified electron-electron interaction and weak localization to conductivity of low mobility p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures at 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К in magnetic field 0 ≤ B ≤2 were divided. Contributions of Zeeman splitting to magnetoresistance have been taken into consideration in the electron-electron interaction. This permitted us to obtain reasonable values of inelastic scattering time τφ and its power temperature dependence predicted by theory. The Hartree part of the interaction constant Fσ0 = -0,51, the amplitude of Fermi-liquid interaction λ = 0,40, the Lande factor g = 12.0 are estimated.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127536
citation_txt Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT arapovûg vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix
AT gudinasv vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix
AT karskanoviv vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix
AT neverovvn vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix
AT harusgi vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix
AT šeng vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix
AT arapovûg contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix
AT gudinasv contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix
AT karskanoviv contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix
AT neverovvn contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix
AT harusgi contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix
AT šeng contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix
first_indexed 2025-12-07T21:13:21Z
last_indexed 2025-12-07T21:13:21Z
_version_ 1850885539522150400

Схожі ресурси