Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах
 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского ра...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127536 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус,
 Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862751582264754176 |
|---|---|
| author | Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Ше, Н.Г |
| author_facet | Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Ше, Н.Г |
| citation_txt | Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус,
 Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах
0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени
релаксации энергии (время сбоя фазы τφ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри Fσ0 = -0,51 амплитуда фермижидкостного взаимодействия λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0.
Розділено внески в провідність модифікованої безладдям електрон-електронної взаємодії й
слабкої локалізації для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix з низькою рухливістю носіїв у магнітних полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фіксованих температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К . Внесок зееманівського розщеплення в магнітоопір був врахований в електрон-електронній взаємодії, що дозволило
одержати розумні значення часу релаксації енергії (час збою фази τφ)) і його степеневу температурну залежність, що передбачено теорією. Оцінено значення параметрів цих ефектів: константа
взаємодії Хартри Fσ0 = -0,51, амплітуда фермірідинної взаємодії λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0.
Contributions from the disorder-modified electron-electron
interaction and weak localization to
conductivity of low mobility p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures
at 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К in magnetic
field 0 ≤ B ≤2 were divided. Contributions of
Zeeman splitting to magnetoresistance have been
taken into consideration in the electron-electron
interaction. This permitted us to obtain reasonable
values of inelastic scattering time τφ and its
power temperature dependence predicted by theory.
The Hartree part of the interaction constant
Fσ0 = -0,51, the amplitude of Fermi-liquid interaction
λ = 0,40, the Lande factor g = 12.0 are
estimated.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:13:21Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127536 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:13:21Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Ше, Н.Г 2017-12-23T22:03:34Z 2017-12-23T22:03:34Z 2007 Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус,
 Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.Fz, 73.21.Ac, 73.40.–c https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127536 Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах
 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени
 релаксации энергии (время сбоя фазы τφ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри Fσ0 = -0,51 амплитуда фермижидкостного взаимодействия λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0. Розділено внески в провідність модифікованої безладдям електрон-електронної взаємодії й
 слабкої локалізації для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix з низькою рухливістю носіїв у магнітних полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фіксованих температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К . Внесок зееманівського розщеплення в магнітоопір був врахований в електрон-електронній взаємодії, що дозволило
 одержати розумні значення часу релаксації енергії (час збою фази τφ)) і його степеневу температурну залежність, що передбачено теорією. Оцінено значення параметрів цих ефектів: константа
 взаємодії Хартри Fσ0 = -0,51, амплітуда фермірідинної взаємодії λ = 0,40, фактор Ланде g = 12,0. Contributions from the disorder-modified electron-electron
 interaction and weak localization to
 conductivity of low mobility p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures
 at 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К in magnetic
 field 0 ≤ B ≤2 were divided. Contributions of
 Zeeman splitting to magnetoresistance have been
 taken into consideration in the electron-electron
 interaction. This permitted us to obtain reasonable
 values of inelastic scattering time τφ and its
 power temperature dependence predicted by theory.
 The Hartree part of the interaction constant
 Fσ0 = -0,51, the amplitude of Fermi-liquid interaction
 λ = 0,40, the Lande factor g = 12.0 are
 estimated. Работа выполнена при поддержке РФФИ, гранты 05-02-16206, 04-02-16614; CRDF и Министерства
 образования и науки РФ, грант Y1-P-05-14 (EК-05
 [X1]); программы РАН «Низкоразмерные квантовые гетероструктуры»; УрО РАН, грант для молодых ученых. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электронные свойства низкоразмерных систем Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix Contributions of electron-electron interaction and weak localization to conductivity of heterostructures p-Ge/Ge₁₋xSix Article published earlier |
| spellingShingle | Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Ше, Н.Г Электронные свойства низкоразмерных систем |
| title | Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_alt | Contributions of electron-electron interaction and weak localization to conductivity of heterostructures p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_full | Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_fullStr | Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_full_unstemmed | Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_short | Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix |
| title_sort | вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-ge/ge₁₋xsix |
| topic | Электронные свойства низкоразмерных систем |
| topic_facet | Электронные свойства низкоразмерных систем |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127536 |
| work_keys_str_mv | AT arapovûg vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT gudinasv vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT karskanoviv vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT neverovvn vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT harusgi vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT šeng vkladyélektronélektronnogovzaimodeistviâislaboilokalizaciivprovodimostʹgeterostrukturpgege1xsix AT arapovûg contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix AT gudinasv contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix AT karskanoviv contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix AT neverovvn contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix AT harusgi contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix AT šeng contributionsofelectronelectroninteractionandweaklocalizationtoconductivityofheterostructurespgege1xsix |