Зображення обкладинки

Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix

Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при фиксированных температурах 0,2 K ≤ T ≤ 4,2 К. Вклад зеемановского ра...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2007
Автори:	Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Ше, Н.Г
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Теми:	Электронные свойства низкоразмерных систем
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127536
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 222-227. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of electron irradiation on spectra of light electroreflection from the surface of Ge/Ge₁₋xSix heterostructure
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2012)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
за авторством: L. O. Fedyna, та інші
Опубліковано: (2020)

Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках
за авторством: Новокшонов, С.Г.
Опубліковано: (2007)

Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
за авторством: Каширин, В.Ю., та інші
Опубліковано: (1996)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)

Осцилляции фотопроводимости двумерной системы Рашбы в переменном магнитном поле
за авторством: Ляпилин, И.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Периодические структуры со спин-орбитальным взаимодействием
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2007)

Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2007)

Tunneling and magnetic properties of triple quantum dots
за авторством: Kikoin, K.
Опубліковано: (2007)

Осцилляции спиновой поляризации в двумерной системе Рашбы в квантующем магнитном поле
за авторством: Ляпилин, И.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs
за авторством: Березовец, В.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле
за авторством: Боголюбский, А.С., та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
за авторством: Зінченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Dielectric relaxation in Se₈₀Ge₂₀ and Se₇₅Ge₂₀Ag₅ chalcogenide glasses
за авторством: Dwivedi, A., та інші
Опубліковано: (2005)

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2016)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Study of photorefractive effect in crystals Pb₅Ge₃O₁₁:Cu and Pb₅Ge₃O₁₁
за авторством: Gnatovsky, O., та інші
Опубліковано: (2001)

Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
за авторством: Дарсавелидзе, Г.Ш., та інші
Опубліковано: (2013)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)

Electronic structure of Ag₈GeS₆
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2017)

The structure of glassy HgS–GeS₂
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Aluminium-vacancy complexx in Ge₁₋ₓCₓ
за авторством: Chroneos, A.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Высокотемпературные термодинамические характеристики ErGe
за авторством: Горбачук, Н.П., та інші
Опубліковано: (2010)

Quantum confinement effects in Ge nanocrystals
за авторством: Miranda, A., та інші
Опубліковано: (2005)