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Vertical spin transport in semiconductor heterostructures

The Landauer—B ttiker formalism combined with the tight-binding transfer matrix method is employed to model vertical coherent spin transport within magnetization modulated semiconductor heterostructures based on GaAs. This formalism provides excellent physical description of recent...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Sankowski, P., Kacman, P., Majewski, J.A., Dietl, T.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Schlagworte:	Структура и свойства полупроводников с переходными элементами
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127727
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Vertical spin transport in semiconductor heterostructures / P. Sankowski, P. Kacman, J.A. Majewski, T. Dietl // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 256-262. — Бібліогр.: 34 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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