Vertical spin transport in semiconductor heterostructures

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Sankowski, P., Kacman, P., Majewski, J.A., Dietl, T.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Структура и свойства полупроводников с переходными элементами
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127727
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Vertical spin transport in semiconductor heterostructures / P. Sankowski, P. Kacman, J.A. Majewski, T. Dietl // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 256-262. — Бібліогр.: 34 назв. — англ.

The Landauer—B ttiker formalism combined with the tight-binding transfer matrix method is
 employed to model vertical coherent spin transport within magnetization modulated semiconductor
 heterostructures based on GaAs. This formalism provides excellent physical description of recent...