Эффект Яна–Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn₁₋xМxSe
Методом дифракции тепловых нейтронов исследовано структурное состояние полупроводников Zn₁₋xNixSe (х = 0,0025), Zn₁₋xCrxSe (х = 0,0029). Обнаружены крупномасштабные сдвиговые смещения атомов решетки ZnSe, которые, как предполагается, индуцируются янтеллеровскими ионами Cr²⁺ и Ni²⁺. Представлены резу...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127730 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Эффект Яна–Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn₁₋xМxSe / В.И. Соколов, А.Т. Лончаков, С.М. Подгорных, С.Ф. Дубинин, С.Г. Теплоухов, В.Д. Пархоменко, Н.Б. Груздев // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 276-281. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Время релаксации, динамический, релаксированный и нерелаксированный модули упругости в ZnSe:Cr, исследованные с помощью ультразвуковых волн
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Низкотемпературные эффекты резонансных электронных состояний на примесях переходных элементов в кинетических, магнитных и акустических свойствах полупроводников
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Сверхтонкие взаимодействия на ядре иона лантана в соединении LaMnO₃
за авторством: Агзамова, П.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Агзамова, П.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Антиферромагнитный резонанс в LaMnO₃
за авторством: Можегоров, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Можегоров, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Vertical spin transport in semiconductor heterostructures
за авторством: Sankowski, P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Sankowski, P., та інші
Опубліковано: (2007)
Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники как материалы спиновой электроники
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Транспорт, магнитотранспорт и ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Statistical model analysis of local structure of quaternary sphalerite crystals
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Ультразвуковые исследования эффекта Яна-Теллера в кристалле ZnSe:Fe²⁺
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)
Эффект Яна–Теллера в квазидвумерных допированных купратных антиферромагнетиках и недостаточно допированных ВТСП (Обзор)
за авторством: Сергеева, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Сергеева, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Донорный экситон кобальта и его взаимодействие с колебаниями решетки в полупроводниковом кристалле ZnO:Co
за авторством: Груздев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Груздев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
ИК спектры отражения и поглощения в CsDy(MoO₄)₂ при кооперативном эффекте Яна–Теллера
за авторством: Кутько, В.И., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Кутько, В.И., та інші
Опубліковано: (2018)
Проявление эффекта Яна-Теллера в спектре ЭПР металлоорганического комплекса [Cu(en)2H₂O]SO₄
за авторством: Андерс, А.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Андерс, А.Г., та інші
Опубліковано: (2002)
Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
за авторством: Sh. S. Ismailov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Sh. S. Ismailov, та інші
Опубліковано: (2020)
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Акустические сдвиговые волны, локализованные вблизи плоского дефекта в ГЦК кристалле
за авторством: Косевич, А.М., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Косевич, А.М., та інші
Опубліковано: (1996)
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂
за авторством: Гасанов, Н.З., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Гасанов, Н.З., та інші
Опубліковано: (2007)
Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Эффект Воллебена в магнитных сверхпроводниках Dy₁₋xYxRh₄B₄ (x = 0,2; 0,3; 0,4 и 0,6)
за авторством: Дмитриев, В.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дмитриев, В.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Синтез материалов на основе системы (1–x)BaTi.O₃—xK₀.₅Bi₀.₅TiO₃ , проявляющих эффект ПТКС
за авторством: Плутенко, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Плутенко, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)