Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2007
• Main Authors: Хейфец, О.Л., Бабушкин, А.Н., Шабашова, О.А., Мельникова, Н.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Subjects: Новые электронные материалы и системы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
 ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов. Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у
 яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості
 досліджених матеріалів. The paper concerns the synthesis and investigation
 of electrical properties of chalcogenides
 AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures.
 The researche was carried out by the method
 of impedance spectroscopy. The synthesized materials
 are ionic conductors. The temperature intervals
 are determined in which conductivity and dielectric
 permeability of the investigated materials
 are of special behavior.