Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Хейфец, О.Л., Бабушкин, А.Н., Шабашова, О.А., Мельникова, Н.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Новые электронные материалы и системы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов. Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості досліджених матеріалів. The paper concerns the synthesis and investigation of electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures. The researche was carried out by the method of impedance spectroscopy. The synthesized materials are ionic conductors. The temperature intervals are determined in which conductivity and dielectric permeability of the investigated materials are of special behavior.