Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляет...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127736 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. 2017-12-27T14:41:34Z 2017-12-27T14:41:34Z 2007 Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 66.30.Dn, 72.60.+g, 77.22.–d https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов. Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості досліджених матеріалів. The paper concerns the synthesis and investigation of electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures. The researche was carried out by the method of impedance spectroscopy. The synthesized materials are ionic conductors. The temperature intervals are determined in which conductivity and dielectric permeability of the investigated materials are of special behavior. Выражаем благодарность Томскому материаловедческому центру коллективного пользования (НОЦ«Физика и химия высокоэнергетических систем») за помощь в проведении рентгенографических исследований. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Новые электронные материалы и системы Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) Electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| spellingShingle |
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. Новые электронные материалы и системы |
| title_short |
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_full |
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_fullStr |
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_full_unstemmed |
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_sort |
электрические свойства халькогенидов aggeass₃xse₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| author |
Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. |
| author_facet |
Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. |
| topic |
Новые электронные материалы и системы |
| topic_facet |
Новые электронные материалы и системы |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| description |
Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов.
Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у
яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості
досліджених матеріалів.
The paper concerns the synthesis and investigation
of electrical properties of chalcogenides
AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures.
The researche was carried out by the method
of impedance spectroscopy. The synthesized materials
are ionic conductors. The temperature intervals
are determined in which conductivity and dielectric
permeability of the investigated materials
are of special behavior.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 |
| citation_txt |
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT heifecol élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01x09 AT babuškinan élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01x09 AT šabašovaoa élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01x09 AT melʹnikovanv élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01x09 AT heifecol electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01x09 AT babuškinan electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01x09 AT šabašovaoa electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01x09 AT melʹnikovanv electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01x09 |
| first_indexed |
2025-12-07T18:55:07Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:55:07Z |
| _version_ |
1850876842020438016 |