Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
 ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в к...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862725961767714816 |
|---|---|
| author | Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. |
| author_facet | Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. |
| citation_txt | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов.
Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у
яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості
досліджених матеріалів.
The paper concerns the synthesis and investigation
of electrical properties of chalcogenides
AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures.
The researche was carried out by the method
of impedance spectroscopy. The synthesized materials
are ionic conductors. The temperature intervals
are determined in which conductivity and dielectric
permeability of the investigated materials
are of special behavior.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:55:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127736 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:55:07Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. 2017-12-27T14:41:34Z 2017-12-27T14:41:34Z 2007 Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 66.30.Dn, 72.60.+g, 77.22.–d https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
 ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов. Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у
 яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості
 досліджених матеріалів. The paper concerns the synthesis and investigation
 of electrical properties of chalcogenides
 AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures.
 The researche was carried out by the method
 of impedance spectroscopy. The synthesized materials
 are ionic conductors. The temperature intervals
 are determined in which conductivity and dielectric
 permeability of the investigated materials
 are of special behavior. Выражаем благодарность Томскому материаловедческому центру коллективного пользования (НОЦ«Физика и химия высокоэнергетических систем») за
 помощь в проведении рентгенографических исследований. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Новые электронные материалы и системы Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) Electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) Article published earlier |
| spellingShingle | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. Новые электронные материалы и системы |
| title | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_alt | Electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_full | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_fullStr | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_full_unstemmed | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_short | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_sort | электрические свойства халькогенидов aggeass₃xse₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| topic | Новые электронные материалы и системы |
| topic_facet | Новые электронные материалы и системы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 |
| work_keys_str_mv | AT heifecol élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01ltxlt09 AT babuškinan élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01ltxlt09 AT šabašovaoa élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01ltxlt09 AT melʹnikovanv élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01ltxlt09 AT heifecol electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01ltxlt09 AT babuškinan electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01ltxlt09 AT šabašovaoa electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01ltxlt09 AT melʹnikovanv electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01ltxlt09 |