Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
 ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в к...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860260873385279488 |
|---|---|
| author | Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. |
| author_facet | Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. |
| citation_txt | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов.
Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у
яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості
досліджених матеріалів.
The paper concerns the synthesis and investigation
of electrical properties of chalcogenides
AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures.
The researche was carried out by the method
of impedance spectroscopy. The synthesized materials
are ionic conductors. The temperature intervals
are determined in which conductivity and dielectric
permeability of the investigated materials
are of special behavior.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:55:07Z |
| format | Article |
| fulltext |
Ôèçèêà íèçêèõ òåìïåðàòóð, 2007, ò. 33, ¹ 2/3, ñ. 374–377
Ýëåêòðè÷åñêèå ñâîéñòâà õàëüêîãåíèäîâ
AgGeAsS Se3 3 1
01 0 9x x
x
( )
( , , )
�
� �
Î.Ë. Õåéôåö, À.Í. Áàáóøêèí, Î.À. Øàáàøîâà, Í.Â. Ìåëüíèêîâà
Óðàëüñêèé ãîñóäàðñòâåííûé óíèâåðñèòåò, ïð. Ëåíèíà, 51, ã. Åêàòåðèíáóðã, 620083, Ðîññèÿ
E-mail: olga.kobeleva@usu.ru
Ñòàòüÿ ïîñòóïèëà â ðåäàêöèþ 7 ñåíòÿáðÿ 2006 ã.
Ïðîâåäåí ñèíòåç è èññëåäîâàíû ýëåêòðè÷åñêèå ñâîéñòâà õàëüêîãåíèäîâ AgGeAsS3xSe3(1–x)
(x = 0,1–0,9) ïðè íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ. Èçó÷åíèå ñèíòåçèðîâàííûõ ìàòåðèàëîâ, ÿâëÿþùèõÿ
èîííûìè ïðîâîäíèêàìè, ïðîâåäåíî ìåòîäîì èìïåäàíñíîé ñïåêòðîñêîïèè. Îáíàðóæåíû òåìïå-
ðàòóðíûå èíòåðâàëû, â êîòîðûõ ïðîÿâëÿåòñÿ îñîáîå ïîâåäåíèå ýëåêòðîïðîâîäíîñòè è äèýëåê-
òðè÷åñêîé ïðîíèöàåìîñòè èññëåäîâàííûõ ìàòåðèàëîâ.
Ïðîâåäåíî ñèíòåç ³ äîñë³äæåíî åëåêòðè÷í³ âëàñòèâîñò³ õàëüêîãåí³ä³â AgGeAsS3xSe3(1–x) (x =
= 0,1–0,9) ïðè íèçüêèõ òåìïåðàòóðàõ. Âèâ÷åííÿ ñèíòåçîâàíèõ ìàòåð³àë³â, ùî º ³îííèìè ïðî-
â³äíèêàìè, ïðîâåäåíî ìåòîäîì ³ìïåäàíñíî¿ ñïåêòðîñêîﳿ. Âèÿâëåíî òåìïåðàòóðí³ ³íòåðâàëè, ó
ÿêèõ ïðîÿâëÿºòüñÿ îñîáëèâå ïîâîäæåííÿ åëåêòðîïðîâ³äíîñò³ é ä³åëåêòðè÷íî¿ ïðîíèêëèâîñò³
äîñë³äæåíèõ ìàòåð³àë³â.
PACS: 66.30.Dn Òåîðèÿ äèôôóçèîííîé è èîííîé ïðîâîäèìîñòè â òâåðäûõ òåëàõ;
72.60.+g Ñìåøàííàÿ ïðîâîäèìîñòü è ñìåíà ìåõàíèçìîâ ïðîâîäèìîñòè;
77.22.–d Äèýëåêòpè÷åñêèå ñâîéñòâà òâåpäûõ òåë è æèäêîñòåé.
Êëþ÷åâûå ñëîâà: òâåðäûå ýëåêòðîëèòû, ïîëóïðîâîäíèêè, õàëüêîãåíèäû, êðèîýëåêòðîíèêà,
ñåãíåòîýëåêòðèêè.
Ââåäåíèå
Èçó÷åíû ýëåêòðè÷åñêèå ñâîéñòâà ìíîãîêîìïî-
íåíòíûõ õàëüêîãåíèäîâ ñåðåáðà. Ýòè ìàòåðèàëû
ïðåäñòàâëÿþò ñóùåñòâåííûé èíòåðåñ â ñâÿçè ñ òåì,
÷òî íàðÿäó ñ âûñîêîé èîííîé ïðîâîäèìîñòüþ ïî èî-
íàì ñåðåáðà [1–3] îáëàäàþò ñåãíåòîýëåêòðè÷åñêèìè
ñâîéñòâàìè, âûñîêèì çíà÷åíèåì òåðìî-ÝÄÑ, íèçêè-
ìè òåìïåðàòóðàìè íà÷àëà èîííîãî ïåðåíîñà è ò.ï.
Ïîñëåäíåå äåëàåò ýòè ìàòåðèàëû ïåðñïåêòèâíûìè
äëÿ ñîçäàíèÿ ìèêðîìîùíûõ èñòî÷íèêîâ òîêà äëÿ
êðèîãåííîé ýëåêòðîíèêè.
Ïðîâåäåí ñèíòåç õàëüêîãåíèäîâ AgGeAsS3xSe3(1–x)
(õ = 0,1–0,9) è èññëåäîâàíû èõ ýëåêòðè÷åñêèå
ñâîéñòâà.
Ýêñïåðèìåíòàëüíûå ìåòîäû
Ñèíòåç âñåõ ñîåäèíåíèé ïðîâîäèëè ñ ïîìîùüþ àì-
ïóëüíîé òåõíîëîãèè.  êà÷åñòâå èñõîäíûõ ìàòåðèà-
ëîâ ïðèìåíÿëè ðåàêòèâû âûñîêîé ÷èñòîòû (íå íèæå
ÎÑ×). Àìïóëû ñ øèõòîé ýâàêóèðîâàëè äî äàâëåíèÿ
10–4–10–5 Ïà è çàïîëíÿëè îáåñêèñëîðîæåííûì àðãî-
íîì äî äàâëåíèÿ 0,5�105 Ïà. Ïîëó÷åííûå ñëèòêè â
ñëó÷àå íåîäíîôàçíîñòè ïåðåòèðàëè, ïðåññîâàëè â
òàáëåòêè è çàíîâî ñïåêàëè.
Îáðàçöû äëÿ èññëåäîâàíèÿ ýëåêòðè÷åñêèõ ñâîé-
ñòâ èìåëè ôîðìó òàáëåòêè âûñîòîé �0,5–3 ìì è
ïëîùàäüþ ïîïåðå÷íîãî ñå÷åíèÿ 10–30 ìì2.
Ðåíòãåíîñòðóêòóðíûå èññëåäîâàíèÿ ïðîâåäåíû íà
ðåíòãåíîâñêîì äèôðàêòîìåòðå Shimadzu XRD 6000,
èçëó÷åíèå Cu-k� . Ðåíòãåíîñòðóêòóðíûé àíàëèç ïîêà-
çàë, ÷òî âñå èçó÷åííûå ìàòåðèàëû ÿâëÿþòñÿ ðåíòãå-
íîàìîðôíûìè.
Íàèáîëåå ïîëíî ðåøèòü ïîñòàâëåííóþ â ðàáîòå
çàäà÷ó èññëåäîâàíèÿ ýëåêòðè÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê
ïîçâîëÿåò ìåòîä èìïåäàíñíîé ñïåêòðîñêîïèè [4,5].
Èñïîëüçóÿ ðåçóëüòàòû àíàëèçà ÷àñòîòíûõ çàâèñè-
ìîñòåé èìïåäàíñà, ìîæíî îïðåäåëèòü îáëàñòü ÷àñ-
òîò ïåðåìåííîãî òîêà, â êîòîðîé âêëàä ýëåêòðîäíîãî
èìïåäàíñà â ýêñïåðèìåíòàëüíî îïðåäåëÿåìûå ïàðà-
ìåòðû áóäåò ìàë. Âûáðàâ ÷àñòîòó èç ýòîé îáëàñòè,
ìîæíî ïðîèçâîäèòü èçìåðåíèÿ òåìïåðàòóðíûõ çàâè-
© Î.Ë. Õåéôåö, À.Í. Áàáóøêèí, Î.À. Øàáàøîâà, Í.Â. Ìåëüíèêîâà, 2007
ñèìîñòåé ýëåêòðîïðîâîäíîñòè è äèýëåêòðè÷åñêîé
ïðîíèöàåìîñòè è ò.ä., è ïîëó÷åííûé ðåçóëüòàò áó-
äåò õàðàêòåðèçîâàòü èñòèííûå ñâîéñòâà ñàìîãî ìàòå-
ðèàëà, à íå êîíòàêòíûå ÿâëåíèÿ. Ïðè ýòîì ñëåäóåò
îòìåòèòü, ÷òî ãðàíèöû óêàçàííîãî äèàïàçîíà ìîãóò
ìåíÿòüñÿ ïîä äåéñòâèåì âíåøíèõ ôàêòîðîâ (íàïðè-
ìåð, óâåëè÷åíèå òåìïåðàòóðû ïðèâîäèò ê ñìåùåíèþ
ãðàíè÷íîé ÷àñòîòû â îáëàñòü âûñîêèõ ÷àñòîò).
Ãîäîãðàôû èìïåäàíñà èññëåäîâàëè ñ ïîìîùüþ
èçìåðèòåëÿ-àíàëèçàòîðà èìïåäàíñà RLC-2000 â îá-
ëàñòè ÷àñòîò 100 Ãö–200 êÃö. Äëÿ èçìåðåíèÿ èìïå-
äàíñà ïðè ôèêñèðîâàííîé ÷àñòîòå ïåðåìåííîãî òîêà
1592 Ãö èñïîëüçîâàëè òî÷íûé ïîëóàâòîìàòè÷åñêèé
ìîñò ÂÌ484. Ïðè ýòîì íàïðÿæåíèå íà îáðàçöå èçìå-
íÿëè â ïðåäåëàõ îò 0,3  äî 30 Â. Âåëè÷èíó ýëåê-
òðîííîé ñîñòàâëÿþùåé ïðîâîäèìîñòè îïðåäåëÿëè ñ
ïîìîùüþ ïîëÿðèçàöèîííîãî ìåòîäà Âàãíåðà [6].
Òåìïåðàòóðó èçìåðÿëè òåðìîïàðîé ìåäü—êîíñòàí-
òàí ñ òî÷íîñòüþ îêîëî 0,5 Ê.
Ýêñïåðèìåíòàëüíûå ðåçóëüòàòû
Ãîäîãðàôû èìïåäàíñà
×àñòîòíûå çàâèñèìîñòè èìïåäàíñà, õàðàêòåðíûå
äëÿ ñèíòåçèðîâàííûõ ñîåäèíåíèé ïðèâåäåíû íà
ðèñ. 1. Ãîäîãðàôû èçìåðÿëè ïðè òåìïåðàòóðå 300 Ê.
Âûñîêî÷àñòîòíóþ ÷àñòü ãîäîãðàôîâ èìïåäàíñà àï-
ïðîêñèìèðîâàëè ïîëóîêðóæíîñòüþ ñ öåíòðîì, ðàñ-
ïîëîæåííûì íèæå îñè àáñöèññ, ÷òî ãîâîðèò î
ïðèñóòñòâèè â ýêâèâàëåíòíîé ñõåìå, îïèñûâàþùåé
îáðàçåö, ýëåìåíòà ïîñòîÿííîé ôàçû [3,4,7]. Èç ãî-
äîãðàôîâ áûëî îïðåäåëåíî, ÷òî ÷àñòîòà 1592 Ãö, íà
êîòîðîé ïðîâîäèëè èçìåðåíèÿ ýëåêòðîïðîâîäíîñòè
è äèýëåêòðè÷åñêîé ïðîíèöàåìîñòè, îòíîñèòñÿ ê âû-
ñîêî÷àñòîòíîé îáëàñòè, è èçìåðåííûå íà íåé õàðàê-
òåðèñòèêè îïèñûâàþò ñâîéñòâà ñàìîãî îáðàçöà.
Ýëåêòðîïðîâîäíîñòü è äèýëåêòðè÷åñêàÿ
ïðîíèöàåìîñòü
Íà ðèñ. 2 è ðèñ. 3 ïðèâåäåíû òåìïåðàòóðíûå çà-
âèñèìîñòè ýëåêòðîïðîâîäíîñòè � è äèýëåêòðè÷åñêîé
ïðîíèöàåìîñòè � äëÿ íåêîòîðûõ èç èññëåäîâàííûõ
îáðàçöîâ.
Äëÿ îáðàçöîâ ñ õ = 0,1 è 0,4–0,6 ýëåêòðîïðîâîä-
íîñòü ìîíîòîííî âîçðàñòàåò ñ óâåëè÷åíèåì òåìïåðà-
òóðû (àêòèâàöèîííàÿ ïðîâîäèìîñòü).Òåìïåðàòóðíàÿ
çàâèñèìîñòü äèýëåêòðè÷åñêîé ïðîíèöàåìîñòè äëÿ
ýòèõ îáðàçöîâ èìååò âèä, õàðàêòåðíûé äëÿ èîííûõ
ïðîâîäíèêîâ. Ðåçêîå âîçðàñòàíèå � îáóñëîâëåíî,âå-
ðîÿòíî,ôîðìèðîâàíèåì îáúåìíûõ ýëåêòðè÷åñêèõ çà-
ðÿäîâ â ïðèýëåêòðîäíûõ îáëàñòÿõ îáðàçöà ïðè âîç-
íèêíîâåíèè èîííîãî ïåðåíîñà.
Äëÿ îáðàçöîâ ñ õ � 0 2, , 0,3 è 0,7–0,9 íà êðèâûõ
�( )Ò ñóùåñòâóåò óçêàÿ òåìïåðàòóðíàÿ îáëàñòü, ãäå
çàâèñèìîñòü ïðîâîäèìîñòè îò òåìïåðàòóðû íåìîíî-
òîííà. Çà ïðåäåëàìè ýòîé îáëàñòè ïðîâîäèìîñòü
ðàñòåò ñ óâåëè÷åíèåì òåìïåðàòóðû.
Ýëåêòðè÷åñêèå ñâîéñòâà õàëüêîãåíèäîâ AgGeAsS3xSe3(1–x)
Ôèçèêà íèçêèõ òåìïåðàòóð, 2007, ò. 33, ¹ 2/3 375
2
1
0 1 2 3
Im
Z
,1
0
êÎ
ì
3
3
Re Z, 10 êÎì
à
0,6
0,4
0,2
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
Im
Z
,1
0
êÎ
ì
3
3
Re Z, 10 êÎì
á
100 Ãö
Ðèñ. 1. Ãîäîãðàôû èìïåäàíñà AgGeAsS3xSe3(1–x) ïðè õ:
0,6 (à) è 0,8 (á).
–2
–4
–6
–8
lg
,Ñ
ì
/ì
�
2 4 6 8 10 12
à
4000
2000
0
�
50 100 150 200 300 350 400250
T, K
á
10 T , K
3 –1 –1
Ðèñ. 2. Òåìïåðàòóðíûå çàâèñèìîñòè ýëåêòðîïðîâîäíîñòè (à)
è äèýëåêòðè÷åñêîé ïðîíèöàåìîñòè (á) AgGeAsS3xSe3(1–x)
ïðè õ = 0,1 (�), 0,4 (�) è 0,6 (�).
Íà êðèâûõ �( )Ò äëÿ ýòèõ ìàòåðèàëîâ íàáëþäàþò-
ñÿ ó÷àñòêè ñ ïðàêòè÷åñêè ïîñòîÿííûì çíà÷åíèåì äè-
ýëåêòðè÷åñêîé ïðîíèöàåìîñòè (ïëàòî). Ïîñëå îêîí-
÷àíèÿ ïëàòî íàáëþäàåòñÿ ðåçêèé ðîñò �.
Âåëè÷èíû ïðîâîäèìîñòè ïðè òåìïåðàòóðå 300 Ê,
ýíåðãèè àêòèâàöèè â ðàçíûõ îáëàñòÿõ òåìïåðàòóð
ïðèâåäåíû â òàáë. 1.
Òàáëèöà 1. Îáëàñòè òåìïåðàòóð íà÷àëà èîííîãî
ïåðåíîñà, óäåëüíàÿ ïðîâîäèìîñòü � ïðè êîìíàòíîé
òåìïåðàòóðå, çíà÷åíèÿ ýíåðãèè àêòèâàöèè Ea â ðàçíûõ
îáëàñòÿõ òåìïåðàòóð è äîëÿ èîííîãî òîêà � �i/ �
Ñîåäèíåíèå T, Ê
Ea,
ýÂ
�,
Ñì/ì
� ��i/ ,
%
Íà÷àëî
èîííîãî ïå-
ðåíîñà, Ê
AgGeAsS
0,3
Se
2,7
160–280
> 280
0,095
0,148
0,15�10–3 280–290
AgGeAsS
0,6
Se
2,4
78–170
170–225
0,04
0,11
0,24�10–3 86 170–210
AgGeAsS
0,9
Se
2,1
190–208
248–390
0,085
0,152
0,13�10–3 220–250
AgGeAsS
1,2
Se
1,8
< 280
> 280
0,09
0,11
0,67�10–3 93 300–310
AgGeAsS
1,5
Se
1,5
78–140
140–160
< 160
0,03
0,12
0,28
0,58�10–3 150–160
AgGeAsS
1,8
Se
1,2
< 140
> 140
0,033
0,23
0,54�10–3 96 170–180
AgGeAsS
2,1
Se
0,9
78–230
230–285
285–370
0,095
0,043
0,129
0,79�10–3 44 230–285
AgGeAsS
2,4
Se
0,6
78–170
170–270
270–370
0,081
0,023
0,186
0,19�10–3 94 170–270
AgGeAsS
2,7
Se
0,3
140–260
260–310
310–370
0,03
0,22
0,25
0,4�10–3 55 260–310
Ïðèìå÷àíèå: * ïðè T � 300 Ê, � � 1592 Ãö.
Îïðåäåëåíèå äîëè èîííîãî ïåðåíîñà
 ìàòåðèàëàõ ñ èîííûì èëè ýëåêòðîííî-èîííûì
òèïîì ïðîâîäèìîñòè ïðè èçìåðåíèÿõ íà ïîñòîÿííîì
òîêå íàáëþäàåòñÿ ïðîöåññ óâåëè÷åíèÿ ýëåêòðè÷å-
ñêîãî ñîïðîòèâëåíèÿ ñî âðåìåíåì. Ýòîò ïðîöåññ
îáóñëîâëåí ïîëÿðèçàöèåé, âîçíèêàþùåé â ÿ÷åéêå ñ
îáðàçöîì. Èç çàâèñèìîñòè ñîïðîòèâëåíèÿ îò âðåìå-
íè ìîæíî îöåíèòü ñîîòíîøåíèå ýëåêòðîííîé è èîí-
íîé ñîñòàâëÿþùèõ ïðîâîäèìîñòè è îïðåäåëèòü âðå-
ìÿ ïîëÿðèçàöèè.
Çàâèñèìîñòè ñîïðîòèâëåíèÿ îò âðåìåíè äëÿ îá-
ðàçöîâ ñ õ � 0 6, è 0,7 ïðèâåäåíû íà ðèñ. 4. Äàííûå î
äîëå èîííîãî ïåðåíîñà â èññëåäîâàííûõ ñîåäèíåíè-
ÿõ ïðèâåäåíû â òàáë. 1.
Îáñóæäåíèå ðåçóëüòàòîâ è âûâîäû
Èññëåäîâàíû ýëåêòðè÷åñêèå ñâîéñòâà ñëîæíûõ
õàëüêîãåíèäîâ AgGeAsS3xSe3(1–x) ïðè òåìïåðàòó-
ðàõ 78–400 Ê.
Îïðåäåëåíû òåìïåðàòóðíûå îáëàñòè ïîÿâëåíèÿ
èîííîé ïðîâîäèìîñòè â ñîåäèíåíèÿõ. Òåìïåðàòóðû
ðåçêîãî ðîñòà � êîððåëèðóþò ñ òåìïåðàòóðíûìè îá-
ëàñòÿìè ñìåíû ýíåðãèè àêòèâàöèè. Ýòî ïîçâîëÿåò
ïðåäïîëîæèòü, ÷òî ýòè òåìïåðàòóðíûå èíòåðâàëû
ñîîòâåòñòâóþò ñìåíå ìåõàíèçìà ïðîâîäèìîñòè ñ
ýëåêòðîííîãî íà èîííûé. Èçìåðåíèå äîëè èîííîé
ïðîâîäèìîñòè ïî ìåòîäó Âàãíåðà ïðè Ò � 300 Ê ïî-
êàçàëî íàëè÷èå â îáðàçöàõ èîííîé ïðîâîäèìîñòè.
Âèä òåìïåðàòóðíûõ çàâèñèìîñòåé ýëåêòðîïðîâîä-
íîñòè è äèýëåêòðè÷åñêîé ïðîíèöàåìîñòè ìàòåðèàëîâ
376 Ôèçèêà íèçêèõ òåìïåðàòóð, 2007, ò. 33, ¹ 2/3
Î.Ë. Õåéôåö, À.Í. Áàáóøêèí, Î.À. Øàáàøîâà, Í.Â. Ìåëüíèêîâà
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
2 4 6 8 10
lg
,Ñ
ì
/ì
2000
1500
1000
500
0
50 150 350250
T, K
10 T , K
3 –1 –1
à
á
Ðèñ. 3. Òåìïåðàòóðíûå çàâèñèìîñòè ýëåêòðîïðîâîäíîñòè
ïðè õ = 0,3 (�), 0,7 (�) è 0,8 (�) (à) è äèýëåêòðè÷å-
ñêîé ïðîíèöàåìîñòè ïðè õ = 0,7 (�), 0,8 (�) è 0,9 (�)
(á) AgGeAsS3xSe3(1–x).
ñ õ � 0 2, , 0,3, 0,7–0,9 õàðàêòåðåí äëÿ ñåãíåòîýëåêòðè-
êîâ—ïîëóïðîâîäíèêîâ [8]. Îäíàêî â ñâÿçè ñ òåì,
÷òî èññëåäîâàííûå ìàòåðèàëû ÿâëÿþòñÿ àìîðôíû-
ìè, ïîäîáíàÿ èíòåðïðåòàöèÿ ñòîèò ïîä âîïðîñîì.
Âîçìîæíî, äàííûé âèä êðèâûõ ñâÿçàí ñ ïåðåñòðîé-
êîé â èîííî-ýëåêòðîííîé ïîäñèñòåìå. Äëÿ îêîí÷à-
òåëüíîãî çàêëþ÷åíèÿ î ïðè÷èíàõ òàêîãî ïîâåäåíèÿ �
è � òðåáóþòñÿ äîïîëíèòåëüíûå èññëåäîâàíèÿ.
Âûâîäû
1. Âñå èññëåäîâàííûå ñîåäèíåíèÿ ÿâëÿþòñÿ èîííû-
ìè ïðîâîäíèêàìè ñ îáëàñòüþ òåìïåðàòóð íà÷àëà èîí-
íîãî ïåðåíîñà 150–310 Ê. Äîëÿ èîííîãî ïåðåíîñà
ñèëüíî çàâèñèò îò ñîîòíîøåíèÿ äîëè ñåðû è ñåëåíà.
2. Ïðîâîäèìîñòü èññëåäîâàííûõ ñîåäèíåíèé ïî
ïîðÿäêó âåëè÷èíû òàêàÿ æå, êàê ó ñîåäèíåíèé, ñî-
äåðæàùèõ òîëüêî ñåðó èëè ñåëåí. Ïðÿìîé çàâèñèìî-
ñòè ìåæäó äîëåé ñåðû è âåëè÷èíîé ïðîâîäèìîñòè,
äîëåé èîííîé ïðîâîäèìîñòè è îáëàñòüþ åå âîçíèêíî-
âåíèÿ íå îáíàðóæåíî. Ïðè çàìåíå â ñîåäèíåíèÿõ
AgGeSbS3xSe3(1–x) ñóðüìû íà ìûøüÿê â îáðàçöàõ
âîçíèêàþò ôàçîâûå ïåðåõîäû [9].
Èññëåäîâàíèÿ âûïîëíåíû ïðè ÷àñòè÷íîé ôèíàí-
ñîâîé ïîääåðæêå CRDF (Ek-005-00 [X1]), ãðàíòà
CRDF è Ìèíèñòåðñòâà Îáðàçîâàíèÿ ÐÔ (BRHE,
Post Doctoral Fellowship, award EK-005-X1, annex
7, No Y1-05-09) è ãðàíòà ÐÔÔÈ ¹ 06-02-16492-à.
Âûðàæàåì áëàãîäàðíîñòü Òîìñêîìó ìàòåðèàëîâåä-
÷åñêîìó öåíòðó êîëëåêòèâíîãî ïîëüçîâàíèÿ (ÍÎÖ
«Ôèçèêà è õèìèÿ âûñîêîýíåðãåòè÷åñêèõ ñèñòåì») çà
ïîìîùü â ïðîâåäåíèè ðåíòãåíîãðàôè÷åñêèõ èññëåäî-
âàíèé.
1. E.R. Baranova, V.B. Zlokazov, L.Ya. Kobelev, and
M.V. Perfiliev, Lett. JTF 16, 27 (1990).
2. E.R. Baranova, V.L. Kobelev, O.L. Kobeleva et al.
Solid State Ionics 146, 415 (2002).
3. Î.Ë. Êîáåëåâà, Äèññ...êàíä. ôèç.-ìàò. íàóê, Åêàòå-
ðèíáóðã (1999).
4. Å.À. Óêøå, Í.Ã. Áóêóí, Òâåðäûå ýëåêòðîëèòû, Ìî-
ñêâà, Íàóêà (1977).
5. Â.Í. ×åáîòèí, Â.Ì. Ïåðôèëüåâ, Ýëåêòðîõèìèÿ
òâåðäûõ ýëåêòðîëèòîâ, Ìîñêâà, Õèìèÿ (1978).
6. C. Wagner, Z. Electrochem. Berichte Bunsenges Phys.
Chem. B60, 4 (1956).
7. Ýëåêòðîäíûå ïðîöåññû â ãàëîãåíèäíûõ è îêñèäíûõ
ýëåêòðîëèòàõ, Ñâåðäëîâñê (1981).
8. Â.Â. Èâàíîâ, À.À. Áîãîìîëîâ, Ñåãíåòîýëåêòðèêè–ïî-
ëóïðîâîäíèêè, Êàëèíèíñêèé óíèâåðñèòåò (1978).
9. O.L. Kheifets-Kobeleva, V.B. Zlokazov, N.V. Mel-
nikova, L.L. Nugaeva, L.Ya. Kobelev, and Ya.L. Ko-
belev, Phys. Status Solidy C1, 299 (2004).
Electrical properties of chalcogenides
AgGeAsS3xSe3(1–x) ( . . )01 0 9� �x
O.L. Kheifets, A.N. Babushkin,
O.A. Shabashova, and N.V. Melnikova
The paper concerns the synthesis and investiga-
tion of electrical properties of chalcogenides
AgGeAsS3xSe3(1–x) (x = 0.1–0.9) at low tempera-
tures. The researche was carried out by the method
of impedance spectroscopy. The synthesized mate-
rials are ionic conductors. The temperature inter-
vals are determined in which conductivity and di-
electric permeability of the investigated materials
are of special behavior.
PACS: 66.30.Dn Theory of diffusion and ionic
conduction in solids;
72.60.+g Mixed conductivity and con-
ductivity transitions;
77.22.–d Dielectric properties of solids
and liquids.
Keywords: solid state ionics, semiconductors,
chalcogenides, crioelectronics, ferroelectrics.
Ýëåêòðè÷åñêèå ñâîéñòâà õàëüêîãåíèäîâ AgGeAsS3xSe3(1–x)
Ôèçèêà íèçêèõ òåìïåðàòóð, 2007, ò. 33, ¹ 2/3 377
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0
� ,
êÎ
ì
ì�
t, ìèí
20 40 60 80
t, ìèí
5
4
3
2
0 20 40 60
�
�
, ê
Î
ì
ì
à
á
Ðèñ. 4. Ïîëÿðèçàöèîííûå çàâèñèìîñòè ñîïðîòèâëåíèÿ îò
âðåìåíè AgGeAsS3xSe3(1–x) ïðè õ = 0,6, U = 0,5 B (�),
U � 07, B (�) (à); õ = 0,7, U = 0,5 B (�), U � 0,6 B
(�) (á).
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127736 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:55:07Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. 2017-12-27T14:41:34Z 2017-12-27T14:41:34Z 2007 Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 66.30.Dn, 72.60.+g, 77.22.–d https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
 ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов. Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у
 яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості
 досліджених матеріалів. The paper concerns the synthesis and investigation
 of electrical properties of chalcogenides
 AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures.
 The researche was carried out by the method
 of impedance spectroscopy. The synthesized materials
 are ionic conductors. The temperature intervals
 are determined in which conductivity and dielectric
 permeability of the investigated materials
 are of special behavior. Выражаем благодарность Томскому материаловедческому центру коллективного пользования (НОЦ«Физика и химия высокоэнергетических систем») за
 помощь в проведении рентгенографических исследований. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Новые электронные материалы и системы Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) Electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) Article published earlier |
| spellingShingle | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) Хейфец, О.Л. Бабушкин, А.Н. Шабашова, О.А. Мельникова, Н.В. Новые электронные материалы и системы |
| title | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_alt | Electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_full | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_fullStr | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_full_unstemmed | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_short | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| title_sort | электрические свойства халькогенидов aggeass₃xse₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) |
| topic | Новые электронные материалы и системы |
| topic_facet | Новые электронные материалы и системы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 |
| work_keys_str_mv | AT heifecol élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01ltxlt09 AT babuškinan élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01ltxlt09 AT šabašovaoa élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01ltxlt09 AT melʹnikovanv élektričeskiesvoistvahalʹkogenidovaggeass3xse31x01ltxlt09 AT heifecol electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01ltxlt09 AT babuškinan electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01ltxlt09 AT šabašovaoa electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01ltxlt09 AT melʹnikovanv electricalpropertiesofchalcogenidesaggeass3xse31x01ltxlt09 |