Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) - Хейфец, О.Л.; Бабушкин, А.Н.; Шабашова, О.А.; Мельникова, Н.В. (Физика низких температур, 2007)
Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов. Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у
яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості
досліджених матеріалів. The paper concerns the synthesis and investigation
of electrical properties of chalcogenides
AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures.
The researche was carried out by the method
of impedance spectroscopy. The synthesized materials
are ionic conductors. The temperature intervals
are determined in which conductivity and dielectric
permeability of the investigated materials
are of special behavior.