Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя
 ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в к...
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| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | Хейфец, О.Л., Бабушкин, А.Н., Шабашова, О.А., Мельникова, Н.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
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