Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Хейфец, О.Л., Бабушкин, А.Н., Шабашова, О.А., Мельникова, Н.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Новые электронные материалы и системы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127736
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляет...