Спонтанная намагниченность и особенности термоинициированного намагничивания планарных наноструктур Co/Si

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2007
• Автори: Васьковский, В.О., Патрин, Г.С., Великанов, Д.А., Свалов, А.В., Щеголева, Н.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127750
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Спонтанная намагниченность и особенности термоинициированного намагничивания планарных наноструктур Co/Si / В.О. Васьковский, Г.С. Патрин, Д.А. Великанов, А.В. Свалов, Н.Н. Щеголева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 4. — С. 439-445. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

В интервале температур 4,2–300 К исследованы магнитные свойства планарных наноструктур Co/Si с различными номинальными толщинами магнитных (2–42 нм) и немагнитных
 (0,3–10 нм) слоистых составляющих. Установлено, что в присутствии слоев Si происходит
 уменьшение спонтанной намагниченности Со, изменение ее температурной зависимости и модификация магнитного гистерезиса. Межслойное влияние интерпретировано как следствие диффу-
 зии Si в слои Со, которая приводит к образованию магнитонеоднородных приграничных интерфейсов с пониженной средней намагниченностью. Глубина интерфейсов зависит от номинальной
 толщины слоев Si и по оценкам может составлять до 1,6 нм. В модели гранулированной микроструктуры интерфейсов дано качественное объяснение особенностям намагничивания исследованных объектов под действием магнитного поля и температуры. Некоторые положения предложенной модели подтверждены результатами электронно-микроскопических наблюдений. В інтервалі температур 4,2–300 К досліджено магнітні властивості планарних наноструктур
 Co/Si з різними номінальними товщинами магнітних (2–42 нм) і немагнітних (0,3–10 нм) шаруватих складових. Установлено, що в присутності шарів Si відбувається зменшення спонтанної намагніченості Со, зміна її температурної залежності та модифікація магнітного гістерезису. Міжшаровий вплив інтерпретовано як наслідок дифузії Si у шари Со, що призводить до утворення
 магнітонеоднорідних примежових інтерфейсів зі зниженою середньою намагніченістю. Глибина
 інтерфейсів залежить від номінальної товщини шарів Si та по оцінках може становити до 1,6 нм.
 У моделі гранульованої мікроструктури інтерфейсів дане якісне пояснення особливостям намагнічування досліджених об’єктів під дією магнітного поля та температури. Деякі положення
 запропонованої моделі підтверджено результатами електронно-мікроскопічних спостережень. The magnetic properties of planar Co/Si
 nanostructures with different nominal thicknesses
 of magnetic (2–42 nm) and non-magnetic (0.3–10
 nm) layered components are studied in the temperature
 interval of 4.2–300 K. It is found that
 with the Si layers present, the spontaneous magnetization
 of Co decreases, its temperature dependence
 is changed, and the magnetic hysteresis
 is modified. The interlayer influence is explained
 by the Si diffusion into the Co layers, which results
 in the formation of magnetically non-uniform
 interfaces of lower average magnetization.
 The depth of the interfaces depends on nominal
 thickness of the Si layers and can be as high as
 1.6 nm. The qualitative explanation of the magnetization
 process features of the investigated
 subjects influenced by magnetic field and temperature
 are explained qualitatively in the framework
 of the granular microstructure model.
 Some statements of the interlayer interaction
 model are supported by the results of electron
 microscopic studies.