Эффект де Гааза–ван Альфена в диборидах ScB₂, ZrB₂, and HfB₂
Выращены монокристаллы гексагональной структуры ScB₂, ZrB₂, and HfB₂ и исследованы свойства поверхностей Ферми этих соединений с помощью эффекта де Гааза—ван Альфена (дГвА). Измерены угловые зависимости частот дГвА осцилляций в плоскостях ( 1010), (1120 ), ( 0001) и значения их эффективных циклотр...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127754 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Эффект де Гааза–ван Альфена в диборидах ScB2, ZrB2 и HfB2 / В.Б. Плужников, И.В. Свечкарев, А.В. Духненко, А.В. Левченко, В.Б. Филиппов, А. Чопник // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 4. — С. 473-478. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Выращены монокристаллы гексагональной структуры ScB₂, ZrB₂, and HfB₂ и исследованы свойства поверхностей Ферми этих соединений с помощью эффекта де Гааза—ван Альфена (дГвА). Измерены угловые зависимости частот дГвА осцилляций в плоскостях ( 1010), (1120 ), ( 0001) и значения
их эффективных циклотронных масс. Частоты обнаруженных осцилляций находятся в интервале
(0,96–28,8) 10² Тл, а измеренные циклотронные массы — в диапазоне (0,09–0,87) m₀. Для соединения ZrB₂ экспериментально получены значения константы электрон-фононного взаимодействия λ на
различных сечениях его поверхности Ферми. Величина константы λ меняется от 0,05 до 0,16.
Виращено монокристали гексагональної структури ScB₂, ZrB₂, and HfB₂ та досліджено властивості
поверхонь Фермі цих сполук за допомогою ефекту де Гааза—ван Альфена (дГвА). Обмірювано кутові залежності частот дГвА осциляцій у площинах (1010), (1120 ), ( 0001) і значення їх ефективних
циклотронних мас. Частоти виявлених осциляцій знаходяться в інтервалі (0,96–28,8) 10² Тл, а
обмірювані циклотронні маси — у діапазоні (0,09–0,87) m₀. Для сполуки ZrB₂₃ експериментально отримано значення константи електрон-фононної взаємодії λ на різних перетинах його поверхні Фермі.
Величина константи λ змінюється від 0,05 до 0,16.
The hexagonal single crystals of ScB₂, ZrB₂
and HfB₂ are grown and the Fermi surface properties
of these compounds are studied by using of
the de Haas–van Alphen effect (dHvA) technique.
The angular dependences of dHvA-oscillation
frequencies in planes (1010), (1120 ), ( 0001)
and the effective cyclotron masses are measured.
The observed dHvA frequencies range within
(0.96–28.8) 10² T and the cyclotron masses range
from 0.09 m0 to 0.87 m₀. For ZrB₂ the experimental
values of electron–phonon interaction
constant λ for the different sections of its Fermi
surface are obtained. The λ value varies from
0.05 up to 0.16.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |