Анизотропия нормального электросопротивления и подавление сверхпроводимости на двойниковых границах в монокристаллах HoВа₂Сu₃О₇₋δ с различным содержанием кислорода

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2007
• Автори: Вовк, Р.В., Оболенский, М.А., Завгородний, А.А., Бондаренко, А.В., Ревякина, М.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127812
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Анизотропия нормального электросопротивления и подавление сверхпроводимости на двойниковых границах в монокристаллах HoВа₂Сu₃О₇₋δ с различным содержанием кислорода / Р.В. Вовк, М.А. Оболенский, А.А. Завгородний, А.В. Бондаренко, М.Г. Ревякина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 5. — С. 546-551. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Исследованы температурные зависимости продольной и поперечной проводимости монокристаллов HoВа₂Сu₃О₇₋δ с различным содержанием кислорода. Показано, что двойниковые границы являются эффективными центрами рассеяния нормальных носителей и подавления сверхпроводящего состояния. Обнаружено, что анизотропия нормального электросопротивления ρс/ρab(T) хорошо описывается в рамках универсального «закона 1/2» для термоактивационной прыжковой проводимости. Досліджено температурні залежності подовжньої та поперечної провідності монокристалів HoВа₂Сu₃О₇₋δ з різним вмістом кисню. Показано, що двійникові межі є ефективними центрами розсіювання нормальних носіїв і пригнічення надпровідного стану. Виявлено, що анізотропія нормального електроопору ρс/ρab(T) добре описується в рамках універсального «закону 1/2» для термоактиваційної стрибкової провідності. Temperature dependences of longitudinal and transversal conductivity of HoВа₂Сu₃О₇₋δ single crystals of different oxygen content are measured. It is shown that the twin boundaries are effective centers of normal carrier scalling and quenching of the superconducting state. It is found that the anisotropy of normal electrical resistivity ρс/ρab(T) is well described by the universal «law 1/2» for thermal activation hopping conduction.