Анизотропия нормального электросопротивления и подавление сверхпроводимости на двойниковых границах в монокристаллах HoВа₂Сu₃О₇₋δ с различным содержанием кислорода

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2007
• Main Authors: Вовк, Р.В., Оболенский, М.А., Завгородний, А.А., Бондаренко, А.В., Ревякина, М.Г.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Subjects: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127812
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Анизотропия нормального электросопротивления и подавление сверхпроводимости на двойниковых границах в монокристаллах HoВа₂Сu₃О₇₋δ с различным содержанием кислорода / Р.В. Вовк, М.А. Оболенский, А.А. Завгородний, А.В. Бондаренко, М.Г. Ревякина // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 5. — С. 546-551. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Исследованы температурные зависимости продольной и поперечной проводимости монокристаллов HoВа₂Сu₃О₇₋δ с различным содержанием кислорода. Показано, что двойниковые границы являются эффективными центрами рассеяния нормальных носителей и подавления сверхпроводящего
 состояния. Обнаружено, что анизотропия нормального электросопротивления ρс/ρab(T) хорошо описывается в рамках универсального «закона 1/2» для термоактивационной прыжковой проводимости. Досліджено температурні залежності подовжньої та поперечної провідності монокристалів
 HoВа₂Сu₃О₇₋δ з різним вмістом кисню. Показано, що двійникові межі є ефективними центрами
 розсіювання нормальних носіїв і пригнічення надпровідного стану. Виявлено, що анізотропія нормального електроопору ρс/ρab(T) добре описується в рамках універсального «закону 1/2» для термоактиваційної стрибкової провідності. Temperature dependences of longitudinal and
 transversal conductivity of HoВа₂Сu₃О₇₋δ single
 crystals of different oxygen content are measured.
 It is shown that the twin boundaries are effective
 centers of normal carrier scalling and quenching of
 the superconducting state. It is found that the anisotropy
 of normal electrical resistivity ρс/ρab(T)
 is well described by the universal «law 1/2» for
 thermal activation hopping conduction.