Гальваномагнитные явления в органических проводниках в условиях фазового топологического перехода
Теоретически исследовано магнитосопротивление слоистых органических проводников с многолистной поверхностью Ферми (ПФ) в условиях фазового топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления или допирования примесными атомами, возможно изменен...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127949 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гальваномагнитные явления в органических проводниках в условиях фазового топологического перехода / О. Галбова, В.Г. Песчанский, Д.И. Степаненко // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 7. — С. 691-698. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Теоретически исследовано магнитосопротивление слоистых органических проводников с многолистной поверхностью Ферми (ПФ) в условиях фазового топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления или допирования примесными атомами,
возможно изменение топологической структуры ПФ.
Теоретично досліджено магнітоопір шаруватих органічних провідників із багатолистою поверхнею Фермі
(ПФ) в умовах фазового топологічного переходу Ліфшиця, коли під дією зовнішнього впливу на провідник,
наприклад тиску або легування домішковими атомами, можлива зміна топологічної структури ПФ.
The magnetoresistance of layered conductors with
a multisheeted Fermi surface (FS) is studied theoretically
under conditions of Lifshitz topological transition,
where the FS topology may change in response to
external effects on the conductor, such as pressure or
impurity atom doping.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |