Гальваномагнитные явления в органических проводниках в условиях фазового топологического перехода

Теоретически исследовано магнитосопротивление слоистых органических проводников с многолистной поверхностью Ферми (ПФ) в условиях фазового топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления или допирования примесными атомами, возможно изменен...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2015
Hauptverfasser: Галбова, О., Песчанский, В.Г., Степаненко, Д.И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127949
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Гальваномагнитные явления в органических проводниках в условиях фазового топологического перехода / О. Галбова, В.Г. Песчанский, Д.И. Степаненко // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 7. — С. 691-698. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Теоретически исследовано магнитосопротивление слоистых органических проводников с многолистной поверхностью Ферми (ПФ) в условиях фазового топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления или допирования примесными атомами, возможно изменение топологической структуры ПФ. Теоретично досліджено магнітоопір шаруватих органічних провідників із багатолистою поверхнею Фермі (ПФ) в умовах фазового топологічного переходу Ліфшиця, коли під дією зовнішнього впливу на провідник, наприклад тиску або легування домішковими атомами, можлива зміна топологічної структури ПФ. The magnetoresistance of layered conductors with a multisheeted Fermi surface (FS) is studied theoretically under conditions of Lifshitz topological transition, where the FS topology may change in response to external effects on the conductor, such as pressure or impurity atom doping.
ISSN:0132-6414