Гальваномагнитные явления в органических проводниках в условиях фазового топологического перехода

Теоретически исследовано магнитосопротивление слоистых органических проводников с многолистной поверхностью Ферми (ПФ) в условиях фазового топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления или допирования примесными атомами,
 возможно...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2015
Автори: Галбова, О., Песчанский, В.Г., Степаненко, Д.И.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127949
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Гальваномагнитные явления в органических проводниках в условиях фазового
 топологического перехода / О. Галбова, В.Г. Песчанский, Д.И. Степаненко // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 7. — С. 691-698. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Теоретически исследовано магнитосопротивление слоистых органических проводников с многолистной поверхностью Ферми (ПФ) в условиях фазового топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления или допирования примесными атомами,
 возможно изменение топологической структуры ПФ. Теоретично досліджено магнітоопір шаруватих органічних провідників із багатолистою поверхнею Фермі
 (ПФ) в умовах фазового топологічного переходу Ліфшиця, коли під дією зовнішнього впливу на провідник,
 наприклад тиску або легування домішковими атомами, можлива зміна топологічної структури ПФ. The magnetoresistance of layered conductors with
 a multisheeted Fermi surface (FS) is studied theoretically
 under conditions of Lifshitz topological transition,
 where the FS topology may change in response to
 external effects on the conductor, such as pressure or
 impurity atom doping.
ISSN:0132-6414