Гальваномагнитные явления в органических проводниках в условиях фазового топологического перехода

Теоретически исследовано магнитосопротивление слоистых органических проводников с многолистной поверхностью Ферми (ПФ) в условиях фазового топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления или допирования примесными атомами,
 возможно...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2015
ISSN:0132-6414
Main Authors: Галбова, О., Песчанский, В.Г., Степаненко, Д.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127949
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Гальваномагнитные явления в органических проводниках в условиях фазового
 топологического перехода / О. Галбова, В.Г. Песчанский, Д.И. Степаненко // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 7. — С. 691-698. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Теоретически исследовано магнитосопротивление слоистых органических проводников с многолистной поверхностью Ферми (ПФ) в условиях фазового топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления или допирования примесными атомами,
 возможно изменение топологической структуры ПФ. Теоретично досліджено магнітоопір шаруватих органічних провідників із багатолистою поверхнею Фермі
 (ПФ) в умовах фазового топологічного переходу Ліфшиця, коли під дією зовнішнього впливу на провідник,
 наприклад тиску або легування домішковими атомами, можлива зміна топологічної структури ПФ. The magnetoresistance of layered conductors with
 a multisheeted Fermi surface (FS) is studied theoretically
 under conditions of Lifshitz topological transition,
 where the FS topology may change in response to
 external effects on the conductor, such as pressure or
 impurity atom doping.
ISSN:0132-6414