Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя

Рассмотрен режим стационарного нагрева системы, состоящей из двух металлических слоев М₁ и М₂, разделенных диэлектрической прослойкой I. Считается, что в слоях поглощается мощность W₁ и W₂, а массивная диэлектрическая подложка, на которой расположена M₁/I/M₂-система, является термостатом. На осно...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2015
Main Author: Безуглый, А.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127963
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 8. — С. 798–805. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127963
record_format dspace
spelling Безуглый, А.И.
2017-12-31T17:06:51Z
2017-12-31T17:06:51Z
2015
Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 8. — С. 798–805. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 63.20.kd, 66.70.–f
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127963
Рассмотрен режим стационарного нагрева системы, состоящей из двух металлических слоев М₁ и М₂, разделенных диэлектрической прослойкой I. Считается, что в слоях поглощается мощность W₁ и W₂, а массивная диэлектрическая подложка, на которой расположена M₁/I/M₂-система, является термостатом. На основании кинетического уравнения для фононной функции распределения проанализирован фононный перенос тепла в M₁/I/M₂-системе и найдена зависимость электронных температур слоев, T₁ и T₂, от W₁ и W₂. Предельные случаи толстых и тонких слоев рассмотрены в реальной экспериментальной ситуации, когда один из слоев нагревается, а другой слой служит термометром. Проведено сравнение результатов теории с экспериментом.
Розглянуто режим стаціонарного нагріву системи, що складається з двох металевих шарів М₁ і М₂, розділених діелектричним прошарком I. Вважається, що в шарах поглинається потужність W₁ і W₂, а масивна діелектрична підкладка, на якій розташована M₁/I/M₂-система, є термостатом. На підставі кінетичного рівняння для фононної функції розподілу проаналізовано фононне перенесення тепла в M₁/I/M₂-системі і знайдена залежність електронних температур шарів, T₁ і T₂ від W₁ і W₂. Граничні випадки товстих і тонких шарів розглянуто в реальній експериментальній ситуації, коли один з шарів нагрівається, а інший шар служить термометром. Проведено порівняння результатів теорії з експериментом.
We consider a steady-state heating regime for a system consisting of two metal layers, M₁ and M₂, separated by a dielectric layer I. It is supposed that the powers W₁ and W₂ are absorbed in the layers, and a massive dielectric substrate, on which the M₁/I/M₂ system is situated, is a thermostat. On the basis of the kinetic equation for the phonon distribution function, we analyze the phonon heat transfer in the M₁/I/M₂ system and find the dependence of electron temperatures of layers, T₁ and T₂, on W₁ and W₂. The limiting cases of thick and thin layers are considered in a real experimental situation where one of the layers is heated and the other layer serves as a thermometer. The theoretical results are compared with the experimental data.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электронные свойства проводящих систем
Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя
Phonon transfer of energy in nanostructures comprising two metal layers
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя
spellingShingle Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя
Безуглый, А.И.
Электронные свойства проводящих систем
title_short Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя
title_full Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя
title_fullStr Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя
title_full_unstemmed Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя
title_sort фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя
author Безуглый, А.И.
author_facet Безуглый, А.И.
topic Электронные свойства проводящих систем
topic_facet Электронные свойства проводящих систем
publishDate 2015
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Phonon transfer of energy in nanostructures comprising two metal layers
description Рассмотрен режим стационарного нагрева системы, состоящей из двух металлических слоев М₁ и М₂, разделенных диэлектрической прослойкой I. Считается, что в слоях поглощается мощность W₁ и W₂, а массивная диэлектрическая подложка, на которой расположена M₁/I/M₂-система, является термостатом. На основании кинетического уравнения для фононной функции распределения проанализирован фононный перенос тепла в M₁/I/M₂-системе и найдена зависимость электронных температур слоев, T₁ и T₂, от W₁ и W₂. Предельные случаи толстых и тонких слоев рассмотрены в реальной экспериментальной ситуации, когда один из слоев нагревается, а другой слой служит термометром. Проведено сравнение результатов теории с экспериментом. Розглянуто режим стаціонарного нагріву системи, що складається з двох металевих шарів М₁ і М₂, розділених діелектричним прошарком I. Вважається, що в шарах поглинається потужність W₁ і W₂, а масивна діелектрична підкладка, на якій розташована M₁/I/M₂-система, є термостатом. На підставі кінетичного рівняння для фононної функції розподілу проаналізовано фононне перенесення тепла в M₁/I/M₂-системі і знайдена залежність електронних температур шарів, T₁ і T₂ від W₁ і W₂. Граничні випадки товстих і тонких шарів розглянуто в реальній експериментальній ситуації, коли один з шарів нагрівається, а інший шар служить термометром. Проведено порівняння результатів теорії з експериментом. We consider a steady-state heating regime for a system consisting of two metal layers, M₁ and M₂, separated by a dielectric layer I. It is supposed that the powers W₁ and W₂ are absorbed in the layers, and a massive dielectric substrate, on which the M₁/I/M₂ system is situated, is a thermostat. On the basis of the kinetic equation for the phonon distribution function, we analyze the phonon heat transfer in the M₁/I/M₂ system and find the dependence of electron temperatures of layers, T₁ and T₂, on W₁ and W₂. The limiting cases of thick and thin layers are considered in a real experimental situation where one of the layers is heated and the other layer serves as a thermometer. The theoretical results are compared with the experimental data.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127963
citation_txt Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 8. — С. 798–805. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT bezuglyiai fononnyiperenosénergiivnanostrukturahsoderžaŝihdvametalličeskihsloâ
AT bezuglyiai phonontransferofenergyinnanostructurescomprisingtwometallayers
first_indexed 2025-11-27T18:39:09Z
last_indexed 2025-11-27T18:39:09Z
_version_ 1850852653360218112