Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Микитик, Г.П., Шарлай, Ю.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
• Schlagworte: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128290
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии / Г.П. Микитик, Ю.В. Шарлай // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 12. — С. 1276–1282. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Проведен анализ известных из литературы экспериментальных данных по температурной зависимости магнитной восприимчивости бериллия. Показано, что эта зависимость может быть объяснена, если
 учесть, что в бериллии вблизи уровня Ферми имеется точка электронного топологического перехода 3½
 рода. Проведено аналіз відомих з літератури експериментальних даних по температурній залежності магнітної сприйнятливості берилію. Показано, що ця залежність може бути пояснена, якщо врахувати, що в берилії поблизу рівня Фермі є точка електронного топологічного переходу 3½ роду Experimental data on the temperature dependence
 of the magnetic susceptibility of beryllium are known
 from literature. We analyze these data. It is shown that
 this dependence can be explained if one takes into account
 that there is a point of the electron topological
 transition of 3½ kind near the Fermi level in beryllium.