Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Хоткевич, А.В., Красный, А.С.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
• Schlagworte: Электронные свойства проводящих систем
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128506
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка / А.В. Хоткевич, А.С. Красный // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 4. — С. 384–386. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

При температуре жидкого гелия измерены микроконтактные (МК) спектры (вторые производные вольт- амперных характеристик) точечных гомоконтактов As/As. Наблюдалась инверсия знака МК спектра вследствие разрушения локализации электронов в контакте из мышьяка из-за электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ). МК спектр содержит два основных максимума при энергиях 10 и 25 мэВ. Граница однофононной части спектра отвечает 34 мэВ. Это согласуется с известными результатами о плотности фононных состояний. Предполагая, что инверсный МК спектр отражает особенности спектральной функции ЭФВ, рассчитана среднеквадратичная частота фононов и получена оценка для температуры Дебая. При температурі рідкого гелію виміряно мікроконтактні (МК) спектри (другі похідні вольт-амперних характеристик) точкових гомоконтактів As/As. Спостерігалася інверсія знаку МК спектра внаслідок руйнування локалізації електронів у контакті з миш’яку через електрон-фононну взаємодію (ЕФВ). МК спектр містить два основних піки при енергіях 10 та 25 меВ. Межа однофононної частини спектра відповідає 34 меВ. Це узгоджується з відомими результатами щодо щільності фононних станів. Припускаючи, що інверсний МК спектр відображає особливості спектральної функції ЕФВ, підраховано середньоквадратичну частоту фононів і отримано оцінку щодо температури Дебая. Point-contact (PC) spectra (second derivatives of the current-voltage characteristics) of the point homocontacts As/As were measured at liquid He temperatures. Inversion of the PC spectrum sign was observed as a result of destruction of the electron localization inside the arsenic-based contacts caused by the electronphonon interaction (EPI). The PC spectrum is characterised by two dominant maxima at 10 and 25 meV. The boundary of single-phonon part of the spectrum corresponds to 34 meV. The latter is in agreement with known data on the phonon density of states in As. In assumption that the inversed PC spectrum reflects peculiarities of the EPI spectral function the mean square phonon frequency was calculated along with an estimated value of the Debye temperature.