Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка
При температуре жидкого гелия измерены микроконтактные (МК) спектры (вторые производные вольт- амперных характеристик) точечных гомоконтактов As/As. Наблюдалась инверсия знака МК спектра вследствие разрушения локализации электронов в контакте из мышьяка из-за электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ)...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128506 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка / А.В. Хоткевич, А.С. Красный // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 4. — С. 384–386. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-128506 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Хоткевич, А.В. Красный, А.С. 2018-01-10T14:59:39Z 2018-01-10T14:59:39Z 2016 Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка / А.В. Хоткевич, А.С. Красный // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 4. — С. 384–386. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 63.20.–e, 73.40.Jn, 81.05.Bx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128506 При температуре жидкого гелия измерены микроконтактные (МК) спектры (вторые производные вольт- амперных характеристик) точечных гомоконтактов As/As. Наблюдалась инверсия знака МК спектра вследствие разрушения локализации электронов в контакте из мышьяка из-за электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ). МК спектр содержит два основных максимума при энергиях 10 и 25 мэВ. Граница однофононной части спектра отвечает 34 мэВ. Это согласуется с известными результатами о плотности фононных состояний. Предполагая, что инверсный МК спектр отражает особенности спектральной функции ЭФВ, рассчитана среднеквадратичная частота фононов и получена оценка для температуры Дебая. При температурі рідкого гелію виміряно мікроконтактні (МК) спектри (другі похідні вольт-амперних характеристик) точкових гомоконтактів As/As. Спостерігалася інверсія знаку МК спектра внаслідок руйнування локалізації електронів у контакті з миш’яку через електрон-фононну взаємодію (ЕФВ). МК спектр містить два основних піки при енергіях 10 та 25 меВ. Межа однофононної частини спектра відповідає 34 меВ. Це узгоджується з відомими результатами щодо щільності фононних станів. Припускаючи, що інверсний МК спектр відображає особливості спектральної функції ЕФВ, підраховано середньоквадратичну частоту фононів і отримано оцінку щодо температури Дебая. Point-contact (PC) spectra (second derivatives of the current-voltage characteristics) of the point homocontacts As/As were measured at liquid He temperatures. Inversion of the PC spectrum sign was observed as a result of destruction of the electron localization inside the arsenic-based contacts caused by the electronphonon interaction (EPI). The PC spectrum is characterised by two dominant maxima at 10 and 25 meV. The boundary of single-phonon part of the spectrum corresponds to 34 meV. The latter is in agreement with known data on the phonon density of states in As. In assumption that the inversed PC spectrum reflects peculiarities of the EPI spectral function the mean square phonon frequency was calculated along with an estimated value of the Debye temperature. Авторы выражают благодарность А.П. Королюку и А.С. Сидоренко, предоставившим образцы мышьяка, а также Ю.Г. Найдюку, Н.Л. Боброву и О.Е. Квитницкой за полезные замечания к рукописи статьи. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электронные свойства проводящих систем Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка Inverted point-contact spectrum of electron-phonon interaction in arsenic homocontacts Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка |
| spellingShingle |
Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка Хоткевич, А.В. Красный, А.С. Электронные свойства проводящих систем |
| title_short |
Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка |
| title_full |
Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка |
| title_fullStr |
Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка |
| title_full_unstemmed |
Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка |
| title_sort |
инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка |
| author |
Хоткевич, А.В. Красный, А.С. |
| author_facet |
Хоткевич, А.В. Красный, А.С. |
| topic |
Электронные свойства проводящих систем |
| topic_facet |
Электронные свойства проводящих систем |
| publishDate |
2016 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Inverted point-contact spectrum of electron-phonon interaction in arsenic homocontacts |
| description |
При температуре жидкого гелия измерены микроконтактные (МК) спектры (вторые производные вольт-
амперных характеристик) точечных гомоконтактов As/As. Наблюдалась инверсия знака МК спектра вследствие разрушения локализации электронов в контакте из мышьяка из-за электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ). МК спектр содержит два основных максимума при энергиях 10 и 25 мэВ. Граница однофононной части спектра отвечает 34 мэВ. Это согласуется с известными результатами о плотности фононных
состояний. Предполагая, что инверсный МК спектр отражает особенности спектральной функции ЭФВ,
рассчитана среднеквадратичная частота фононов и получена оценка для температуры Дебая.
При температурі рідкого гелію виміряно мікроконтактні (МК) спектри (другі похідні вольт-амперних
характеристик) точкових гомоконтактів As/As. Спостерігалася інверсія знаку МК спектра внаслідок руйнування локалізації електронів у контакті з миш’яку через електрон-фононну взаємодію (ЕФВ). МК
спектр містить два основних піки при енергіях 10 та 25 меВ. Межа однофононної частини спектра відповідає 34 меВ. Це узгоджується з відомими результатами щодо щільності фононних станів. Припускаючи,
що інверсний МК спектр відображає особливості спектральної функції ЕФВ, підраховано середньоквадратичну частоту фононів і отримано оцінку щодо температури Дебая.
Point-contact (PC) spectra (second derivatives of
the current-voltage characteristics) of the point homocontacts
As/As were measured at liquid He temperatures.
Inversion of the PC spectrum sign was observed
as a result of destruction of the electron localization
inside the arsenic-based contacts caused by the electronphonon
interaction (EPI). The PC spectrum is characterised
by two dominant maxima at 10 and 25 meV. The
boundary of single-phonon part of the spectrum corresponds
to 34 meV. The latter is in agreement with
known data on the phonon density of states in As. In
assumption that the inversed PC spectrum reflects peculiarities
of the EPI spectral function the mean square
phonon frequency was calculated along with an estimated
value of the Debye temperature.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128506 |
| citation_txt |
Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка / А.В. Хоткевич, А.С. Красный // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 4. — С. 384–386. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT hotkevičav inversnyimikrokontaktnyispektrélektronfononnogovzaimodeistviâvgomokontaktahizmyšʹâka AT krasnyias inversnyimikrokontaktnyispektrélektronfononnogovzaimodeistviâvgomokontaktahizmyšʹâka AT hotkevičav invertedpointcontactspectrumofelectronphononinteractioninarsenichomocontacts AT krasnyias invertedpointcontactspectrumofelectronphononinteractioninarsenichomocontacts |
| first_indexed |
2025-12-07T13:40:05Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:40:05Z |
| _version_ |
1850857022303502336 |