Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs

Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs

Рассмотрен механизм ориентации двухслойных классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зави...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2001
Main Author: Филь, Д.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
Subjects:
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128594
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 519-522. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-128594
record_format dspace
spelling Филь, Д.В.
2018-01-12T17:42:42Z
2018-01-12T17:42:42Z
2001
Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 519-522. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.20.Dx, 77.65.-j
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128594
Рассмотрен механизм ориентации двухслойных классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зависимости полной энергии электронного кристалла от его ориентации относительно кристаллографических осей матрицы окружения. Получено обобщение метода Эвальда для расчета анизотропного взаимодействия между электронами в вигнеровском кристалле. С использованием этого метода рассчитана энергия двухслойных вигнеровских кристаллов в электронных слоях, параллельных кристаллографическим плоскостям (001), (0-11), (111), в зависимости от их ориентации и расстояния между слоями и найдена наиболее энергетически выгодная ориентация для всех типов электронных решеток в двухслойной системе. Показано, что в двухслойном вигнеровском кристалле фазовые переходы между структурами с различной симметрией решетки могут сопровождаться изменением его ориентации.
A mechanism for orientation of bilayer classical Wigner crystals in a piezoelectric medium is considered. For the GaAs system the piezoelectric correction to the electrostatic interaction between electrons is calculated. It is shown that taking into account the correction due to the piezoelectric effect leads to a dependence of the total energy of the electron crystal on its orientation with respect to the crystallographic axes of the surrounding matrix. A generalization of Ewald’s method is obtained for calculating the anisotropic interaction between electrons in a Wigner crystal. The method is used to calculate the energy of bilayer Wigner crystals in electron layers parallel to the crystallographic planes (001), (0–11), and (111) as a function of their orientation and the distance between layers, and the energetically most favorable orientation for all types of electron lattices in a bilayer system is found. It is shown that phase transitions between structures with different lattice symmetry in a Wigner crystal can be accompanied by a change of its orientation.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
Piezoelectric mechanism of orientation of a bilayer Wigner crystal in a GaAs
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
spellingShingle Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
Филь, Д.В.
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
title_short Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
title_full Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
title_fullStr Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
title_full_unstemmed Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
title_sort пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице gaas
author Филь, Д.В.
author_facet Филь, Д.В.
topic Низкоразмерные и неупорядоченные системы
topic_facet Низкоразмерные и неупорядоченные системы
publishDate 2001
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Piezoelectric mechanism of orientation of a bilayer Wigner crystal in a GaAs
description Рассмотрен механизм ориентации двухслойных классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зависимости полной энергии электронного кристалла от его ориентации относительно кристаллографических осей матрицы окружения. Получено обобщение метода Эвальда для расчета анизотропного взаимодействия между электронами в вигнеровском кристалле. С использованием этого метода рассчитана энергия двухслойных вигнеровских кристаллов в электронных слоях, параллельных кристаллографическим плоскостям (001), (0-11), (111), в зависимости от их ориентации и расстояния между слоями и найдена наиболее энергетически выгодная ориентация для всех типов электронных решеток в двухслойной системе. Показано, что в двухслойном вигнеровском кристалле фазовые переходы между структурами с различной симметрией решетки могут сопровождаться изменением его ориентации. A mechanism for orientation of bilayer classical Wigner crystals in a piezoelectric medium is considered. For the GaAs system the piezoelectric correction to the electrostatic interaction between electrons is calculated. It is shown that taking into account the correction due to the piezoelectric effect leads to a dependence of the total energy of the electron crystal on its orientation with respect to the crystallographic axes of the surrounding matrix. A generalization of Ewald’s method is obtained for calculating the anisotropic interaction between electrons in a Wigner crystal. The method is used to calculate the energy of bilayer Wigner crystals in electron layers parallel to the crystallographic planes (001), (0–11), and (111) as a function of their orientation and the distance between layers, and the energetically most favorable orientation for all types of electron lattices in a bilayer system is found. It is shown that phase transitions between structures with different lattice symmetry in a Wigner crystal can be accompanied by a change of its orientation.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128594
citation_txt Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 519-522. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT filʹdv pʹezoélektričeskiimehanizmorientaciidvuhsloinogovignerovskogokristallavmatricegaas
AT filʹdv piezoelectricmechanismoforientationofabilayerwignercrystalinagaas
first_indexed 2025-11-30T14:43:27Z
last_indexed 2025-11-30T14:43:27Z
_version_ 1850857967986933760

Similar Items