Теплопроводность кристаллов фуллерита C₆₀ при низких температурах

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2001
• Автори: Ефимов, В.Б., Межов-Деглин, Л.П., Николаев, Р.К., Сидоров, Н.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
• Теми: Кpаткие сообщения
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128598
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Низкотемпературный α -пик внутреннего трения в ниобии и его связь с релаксацией кинков на дислокациях / В.Б. Ефимов, Л.П. Межов-Деглин, Р.К. Николаев, Н.С. Сидоров // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 558-560. — Бібліогр.: 6 назв. — рос

Приведены результаты измерений теплопроводности k протяженных кристаллов фуллерита C60 поперечными размерами L порядка нескольких миллиметpов при низких температурах до 0,6 К. Обнаружено, что в диапазоне от 7 до 0,6 К температурная зависимость теплопроводности лучшего из образцов близка к кубической, k(T) ~ T³, а оцениваемая по измеренной теплопроводности и известной из литературы [1] теплоемкости фуллерита эффективная длина свободного пробега фононов lp≈0,6 мкм практически не зависит от температуры и много меньше L, т.е. фононные пробеги ограничены сильным рассеянием на дефектах в объеме образца. The thermal conductivity κ of extended crystals of fullerite C60 with transverse dimensions L of the order of a few millimeters is measured at low temperatures (down to 0.6 K). It is found that in the range from 7 to 0.6 K the temperature dependence of the thermal conductivity of the better of the samples is close to cubic, κ(T)∼T3, and the effective phonon mean free path estimated from the measured thermal conductivity and the published value of the specific heat of fullerite [J. R. Olson et al., Science 259, 1145 (1993)] has a value (lp≈0.6 μm) that is practically independent of temperature and much less than L, i.e., the phonon mean free path is limited by strong scattering on defects in the bulk of the sample.