Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах

Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носи...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2002
Автор: Горский, П.В.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128707
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах / П.В. Горский // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 10. — С. 1072-1077. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862529207074029568
author Горский, П.В.
author_facet Горский, П.В.
citation_txt Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах / П.В. Горский // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 10. — С. 1072-1077. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носителей, температуры, магнитного поля и величины эффективного притягивающего взаимодействия, приводящего к зарядовому упорядочению. The nonoscillatory (with respect to magnetic field) part of the magnetoresistance of layered charge-ordered crystals is determined under the condition that the relaxation time of the charge carriers is inversely proportional to their density of states. It is demonstrated that inversion of the magnetoresistance can occur as a function of the carrier concentration, temperature, magnetic field, and value of the effective attractive interaction that leads to the charge ordering. Визначена неосцилююча відносно магнітного поля частина магнітоопору шаруватихзарядово-впорядкованих кристалів за умови, що час релаксації носіїв заряду оберненопропорційний до густини їх станів. Доведено можливість інверсії магнітоопору взалежності від концентрації носіїв, температури, магнітного поля і величини ефективноїпритягуючої взаємодії, що веде до зарядового впорядкування.
first_indexed 2025-11-24T02:29:28Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-128707
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-11-24T02:29:28Z
publishDate 2002
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Горский, П.В.
2018-01-13T18:15:21Z
2018-01-13T18:15:21Z
2002
Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах / П.В. Горский // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 10. — С. 1072-1077. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.20.My, 71.30.+h
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128707
Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носителей, температуры, магнитного поля и величины эффективного притягивающего взаимодействия, приводящего к зарядовому упорядочению.
The nonoscillatory (with respect to magnetic field) part of the magnetoresistance of layered charge-ordered crystals is determined under the condition that the relaxation time of the charge carriers is inversely proportional to their density of states. It is demonstrated that inversion of the magnetoresistance can occur as a function of the carrier concentration, temperature, magnetic field, and value of the effective attractive interaction that leads to the charge ordering.
Визначена неосцилююча відносно магнітного поля частина магнітоопору шаруватихзарядово-впорядкованих кристалів за умови, що час релаксації носіїв заряду оберненопропорційний до густини їх станів. Доведено можливість інверсії магнітоопору взалежності від концентрації носіїв, температури, магнітного поля і величини ефективноїпритягуючої взаємодії, що веде до зарядового впорядкування.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
Low-temperature inversion of the magnetoresistance in charge-ordered layered superstructures
Article
published earlier
spellingShingle Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
Горский, П.В.
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
title Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
title_alt Low-temperature inversion of the magnetoresistance in charge-ordered layered superstructures
title_full Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
title_fullStr Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
title_full_unstemmed Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
title_short Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
title_sort низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
topic Низкоразмерные и неупорядоченные системы
topic_facet Низкоразмерные и неупорядоченные системы
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128707
work_keys_str_mv AT gorskiipv nizkotemperaturnaâinversiâmagnitosoprotivleniâvzarâdovouporâdočennyhsloistyhsverhstrukturah
AT gorskiipv lowtemperatureinversionofthemagnetoresistanceinchargeorderedlayeredsuperstructures