Об отклонениях от правила Маттиссена в квазиодномерных проводниках

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2002
• Hauptverfasser: Копелиович, А.И., Мамалуй, А.А., Петренко, Л.Г., Шелест, Т.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
• Schlagworte: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128708
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Об отклонениях от правила Маттиссена в квазиодномерных проводниках / А.И. Копелиович, А.А. Мамалуй, Л.Г. Петренко, Т.Н. Шелест // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 10. — С. 1078-1082. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Предложено объяснение большого отклонения от правила Маттиссена, наблюдающегося экспериментально в квазиодномерном металле NbSe₃, поверхность Ферми которого содержит несколько изолированных друг от друга листов. Отклонение от правила Маттиcсена возникает в результате неаддитивного влияния на функцию распределения электронов процессов рассеяния электронов на дефектах решетки (вакансиях Se) и фононах. Показано, что полученные экспериментально температурные зависимости удельного электросопротивления NbSe₃ могут быть удовлетворительно описаны в рамках упрощенной модели одномерной поверхности Ферми, представляющей собой две пары симметричных точек в пространстве квазиимпульсов. Большие отклонения от правила Маттисcена можно объяснить различным характером рассеяния электронов, локализованных на разных структурных цепочках квазиодномерного металла, на дефектах решетки и на фононах. Запропоновано пояснення великого відхилення від правила Маттіссена, що спос-терігається експериментально в квазіодновимірному металі NbSe₃, поверхня Фермі якогомістить декілька ізольованих один від одного листків. Відхилення від правила Маттіcсенавиникає внаслідок неадитивного впливу на функцію розподілу електронів процесів роз-сіювання електронів на дефектах гратки (вакансіях Se) і на фононах. Показано, щоодержані експериментально температурні залежності питомого електроопору NbSe₃ мо-жуть бути задовільно описані в межах спрощеної моделі одновимірної поверхні Фермі, щоявляє собою дві пари симетричних точок в просторі квазіімпульсів. Великі відхилення відправила Маттіcсена пояснюються різним характером розсіювання электронів, що лока-лізовані на різних структурних ланцюжках квазіодновимірного металу, на дефектахгратки і на фононах. An explanation is proposed for the large deviation from Matthiessen’s rule observed experimentally in the quasi-one-dimensional metal NbSe₃, the Fermi surface of which contains several sheets which are isolated from each other. The deviation from Matthiessen’s rule arises as a result of the nonadditive influence on the electron distribution function from processes of electron scattering on lattice defects (Se vacancies) and phonons. It is shown that the experimentally obtained temperature dependence of the electrical conductivity of NbSe₃ can be described satisfactorily in the framework of a simplified model of a one-dimensional Fermi surface in the form two pairs of symmetric points in quasimomentum space. Large deviations from Matthiessen’s rule can be explained by the different character of the scattering on lattice defects and on phonons for electrons localized on different structural chains of the quasi-one-dimensional metal.