Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe

Представлены результаты исследований структурных и магнитных свойств монокристалли ческих образцов разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe с разной концентрацией ионов хрома (0< x ≤ 0,007 ) в температурном интервале 50-300 К. Установлено, что граница существования гомогенного твердого...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2002
Hauptverfasser: Прозоровский, В.Д., Решидова, И.Ю., Пузыня, А.И., Паранчич, С.Ю., Романюк, В.Р.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2002
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128724
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня, С.Ю. Паранчич, В.Р. Романюк // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 12. — С. 1239-1243. — Бібліогр.: 6. назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-128724
record_format dspace
spelling Прозоровский, В.Д.
Решидова, И.Ю.
Пузыня, А.И.
Паранчич, С.Ю.
Романюк, В.Р.
2018-01-13T19:11:10Z
2018-01-13T19:11:10Z
2002
Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня, С.Ю. Паранчич, В.Р. Романюк // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 12. — С. 1239-1243. — Бібліогр.: 6. назв. — рос.
0132-6414
PACS: 76.30.Fc
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128724
Представлены результаты исследований структурных и магнитных свойств монокристалли ческих образцов разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe с разной концентрацией ионов хрома (0< x ≤ 0,007 ) в температурном интервале 50-300 К. Установлено, что граница существования гомогенного твердого раствора находится в пределах содержания хрома x < 0,05. В образцах с x ≥ 0,05 резкий рост магнитной восприимчивости в области температуры фазового перехода обусловлен не только переходом в фазу, подобную фазе спинового стекла, который наблюдался для всех исследованных образцов, но и ферромагнитным вкладом, связанным с ферромагнитными включениями HgCr₂Se₄ и CrSe в этих образцах.
Подано результати досліджень структурних та магнітних властивостей монокристалічних зразків розбавленого магнітного напівпровідника Hg₁₋xCrxSe з різною концентрацією іонів хрому (0< x ≤ 0,007 ) у температурному інтервалі 50-300 К. Встановлено, що границя існування гомогенного твердого розчину знаходиться в межах концентрацій хрому x < 0,05. В зразках з x ≥ 0,05 різкий зріст магнітної сприйнятливості в області температури фазового переходу є обумовленим не тільки переходом у фазу, подібну фазі спінового скла, який спостерігається в усіх досліджених зразках, але і феромагнітним внеском, пов язаним з феромагнітними включеннями HgCr₂Se₄ і CrSe в цих зразках.
Авторы выражают глубокую признательность V. Munnoz и C. Reig (Departament de Aplicada and Institut de Ciencia de Materials, Universitat de Valencia, Edifici d Investigacio, c/Dr. Moliner, 50, E46100 Burjassot (Spain)) за сотрудничество и неоценимую помощь в проведении структурных измерений на нашем объекте исследования.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкотемпеpатуpный магнетизм
Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
spellingShingle Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
Прозоровский, В.Д.
Решидова, И.Ю.
Пузыня, А.И.
Паранчич, С.Ю.
Романюк, В.Р.
Низкотемпеpатуpный магнетизм
title_short Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
title_full Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
title_fullStr Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
title_full_unstemmed Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe
title_sort влияние концентрации cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника hg₁₋xcrxse
author Прозоровский, В.Д.
Решидова, И.Ю.
Пузыня, А.И.
Паранчич, С.Ю.
Романюк, В.Р.
author_facet Прозоровский, В.Д.
Решидова, И.Ю.
Пузыня, А.И.
Паранчич, С.Ю.
Романюк, В.Р.
topic Низкотемпеpатуpный магнетизм
topic_facet Низкотемпеpатуpный магнетизм
publishDate 2002
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
description Представлены результаты исследований структурных и магнитных свойств монокристалли ческих образцов разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe с разной концентрацией ионов хрома (0< x ≤ 0,007 ) в температурном интервале 50-300 К. Установлено, что граница существования гомогенного твердого раствора находится в пределах содержания хрома x < 0,05. В образцах с x ≥ 0,05 резкий рост магнитной восприимчивости в области температуры фазового перехода обусловлен не только переходом в фазу, подобную фазе спинового стекла, который наблюдался для всех исследованных образцов, но и ферромагнитным вкладом, связанным с ферромагнитными включениями HgCr₂Se₄ и CrSe в этих образцах. Подано результати досліджень структурних та магнітних властивостей монокристалічних зразків розбавленого магнітного напівпровідника Hg₁₋xCrxSe з різною концентрацією іонів хрому (0< x ≤ 0,007 ) у температурному інтервалі 50-300 К. Встановлено, що границя існування гомогенного твердого розчину знаходиться в межах концентрацій хрому x < 0,05. В зразках з x ≥ 0,05 різкий зріст магнітної сприйнятливості в області температури фазового переходу є обумовленим не тільки переходом у фазу, подібну фазі спінового скла, який спостерігається в усіх досліджених зразках, але і феромагнітним внеском, пов язаним з феромагнітними включеннями HgCr₂Se₄ і CrSe в цих зразках.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128724
citation_txt Влияние концентрации Cr на структурные и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Hg₁₋xCrxSe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, А.И. Пузыня, С.Ю. Паранчич, В.Р. Романюк // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 12. — С. 1239-1243. — Бібліогр.: 6. назв. — рос.
work_keys_str_mv AT prozorovskiivd vliâniekoncentraciicrnastrukturnyeimagnitnyesvoistvarazbavlennogomagnitnogopoluprovodnikahg1xcrxse
AT rešidovaiû vliâniekoncentraciicrnastrukturnyeimagnitnyesvoistvarazbavlennogomagnitnogopoluprovodnikahg1xcrxse
AT puzynâai vliâniekoncentraciicrnastrukturnyeimagnitnyesvoistvarazbavlennogomagnitnogopoluprovodnikahg1xcrxse
AT parančičsû vliâniekoncentraciicrnastrukturnyeimagnitnyesvoistvarazbavlennogomagnitnogopoluprovodnikahg1xcrxse
AT romanûkvr vliâniekoncentraciicrnastrukturnyeimagnitnyesvoistvarazbavlennogomagnitnogopoluprovodnikahg1xcrxse
first_indexed 2025-12-07T20:55:07Z
last_indexed 2025-12-07T20:55:07Z
_version_ 1850884392695627776