Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈

Измерены магнитополевые зависимости сопротивления (до 110 кЭ) гетероструктуры Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃ с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈ в интервале температур 0,335-10 К и при изменении токов от 100 нА до 50 мкA. В области сильных магнитных полей наблюдались осцилляции Шубников...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2003
Автори: Андриевский, В.В., Рожещенко, А.Ю., Комник, Ю.Ф., Миронов, М., Миронов, О.А., Волл, Т.Е.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2003
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128826
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈ / В.В. Андриевский, А.Ю. Рожещенко, Ю.Ф. Комник, М. Миронов, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 4. — С. 424-431. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-128826
record_format dspace
spelling Андриевский, В.В.
Рожещенко, А.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, М.
Миронов, О.А.
Волл, Т.Е.
2018-01-14T09:30:00Z
2018-01-14T09:30:00Z
2003
Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈ / В.В. Андриевский, А.Ю. Рожещенко, Ю.Ф. Комник, М. Миронов, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 4. — С. 424-431. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.20.My, 73.20.Fz
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128826
Измерены магнитополевые зависимости сопротивления (до 110 кЭ) гетероструктуры Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃ с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈ в интервале температур 0,335-10 К и при изменении токов от 100 нА до 50 мкA. В области сильных магнитных полей наблюдались осцилляции Шубникова-де-Гааза, а в области слабых полей при H ≤ 1 кЭ - положительное магнитосопротивление, переходящее при увеличении поля в отрицательное магнитосопротивление. Эта особенность объясняется эффектами слабой локализации 2D носителей заряда в условиях близости времени спин-орбитального рассеяния τso и времени неупругого рассеяния τφ и свидетельствует о расщеплении спиновых состояний под влиянием возмущающего потенциала, связанного с формированием двумерной потенциальной ямы (механизм Рашбы). Анализ эффектов слабой локализации дал значения характерных времен релаксации τφ = 7,2T⁻¹×10⁻¹² с, τso = 1,36·10⁻¹² с. Из последней характеристики для изученной гетероструктуры определена величина спинового расщепления Δ = 2,97 мэВ.
The magnetic-field dependence (up to 110 kOe) of the resistance of Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃ with a 2D hole gas in a Si₀,₂Ge₀,₈ quantum well is measured in the temperature range 0.335–10 K and in a range of variation of the currents from 100 nA to 50 μA. Shubnikov–de Haas oscillations are observed in the region of high magnetic fields, and in the low-field region H ≤ 1  kOe a positive magnetoresistance is observed which gives way to a negative magnetoresistance as the field is increased. This peculiarity is explained by effects of weak localization of the 2D charge carriers under conditions when the spin–orbit scattering time τ so is close to the inelastic scattering time τφ , and it is evidence of a splitting of the spin states under the influence of a perturbing potential due to the formation of a two-dimensional potential well (the Rashba mechanism). Analysis of the weak localization effects gave the values of the characteristic relaxation times as τφ = 7,2T⁻¹×10⁻¹² s and τso = 1,36·10⁻¹² s. From these characteristics of the heterostructure studied, a value of Δ=2.97  meV was obtained for the spin splitting.
Виміряно магнітопольові залежності опору (до 110 кЕ) гетероструктури Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃ з 2D дірковим газом у квантовій ямі Si₀,₂Ge₀,₈ у інтервалі температур 0,335-10 К та при зміненні струму від 100 нА до 50 мкА. В області сильних магнітних полів було спостережено осциляції Шубнікова де Гааза, а в області слабких полів при H ≤ 1 кE позитивний магнітоопір, який переходить при збільшенні поля у негативний магнітоопір. Ця особливість пояснюється ефектами слабкої локалізації 2D носіїв заряду в умовах близькості часу спін-орбітального розсіювання so та часу непружного розсіювання , та свідчить про розщеплення спінових станів під впливом збуджуючого потенціалу, який пов язаний з формуванням двовимірної потенціальної ями (механізм Рашби). Аналіз ефектів слабкої локалізації дав значення характерних часів релаксації τφ = 7,2T⁻¹×10⁻¹² с, τso = 1,36·10⁻¹² с. З останньої характеристики для вивченої гетероструктури визначено величину спінового розщеплення Δ = 2,97 меВ.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
Quantum interferometry and spin–orbit effects in a heterostructure with a 2D hole gas in aSi₀,₂Ge₀,₈ quantum well
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
spellingShingle Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
Андриевский, В.В.
Рожещенко, А.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, М.
Миронов, О.А.
Волл, Т.Е.
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
title_short Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
title_full Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
title_fullStr Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
title_full_unstemmed Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
title_sort квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2d дырочным газом в квантовой яме si₀,₂ge₀,₈
author Андриевский, В.В.
Рожещенко, А.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, М.
Миронов, О.А.
Волл, Т.Е.
author_facet Андриевский, В.В.
Рожещенко, А.Ю.
Комник, Ю.Ф.
Миронов, М.
Миронов, О.А.
Волл, Т.Е.
topic Низкоразмерные и неупорядоченные системы
topic_facet Низкоразмерные и неупорядоченные системы
publishDate 2003
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Quantum interferometry and spin–orbit effects in a heterostructure with a 2D hole gas in aSi₀,₂Ge₀,₈ quantum well
description Измерены магнитополевые зависимости сопротивления (до 110 кЭ) гетероструктуры Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃ с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈ в интервале температур 0,335-10 К и при изменении токов от 100 нА до 50 мкA. В области сильных магнитных полей наблюдались осцилляции Шубникова-де-Гааза, а в области слабых полей при H ≤ 1 кЭ - положительное магнитосопротивление, переходящее при увеличении поля в отрицательное магнитосопротивление. Эта особенность объясняется эффектами слабой локализации 2D носителей заряда в условиях близости времени спин-орбитального рассеяния τso и времени неупругого рассеяния τφ и свидетельствует о расщеплении спиновых состояний под влиянием возмущающего потенциала, связанного с формированием двумерной потенциальной ямы (механизм Рашбы). Анализ эффектов слабой локализации дал значения характерных времен релаксации τφ = 7,2T⁻¹×10⁻¹² с, τso = 1,36·10⁻¹² с. Из последней характеристики для изученной гетероструктуры определена величина спинового расщепления Δ = 2,97 мэВ. The magnetic-field dependence (up to 110 kOe) of the resistance of Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃ with a 2D hole gas in a Si₀,₂Ge₀,₈ quantum well is measured in the temperature range 0.335–10 K and in a range of variation of the currents from 100 nA to 50 μA. Shubnikov–de Haas oscillations are observed in the region of high magnetic fields, and in the low-field region H ≤ 1  kOe a positive magnetoresistance is observed which gives way to a negative magnetoresistance as the field is increased. This peculiarity is explained by effects of weak localization of the 2D charge carriers under conditions when the spin–orbit scattering time τ so is close to the inelastic scattering time τφ , and it is evidence of a splitting of the spin states under the influence of a perturbing potential due to the formation of a two-dimensional potential well (the Rashba mechanism). Analysis of the weak localization effects gave the values of the characteristic relaxation times as τφ = 7,2T⁻¹×10⁻¹² s and τso = 1,36·10⁻¹² s. From these characteristics of the heterostructure studied, a value of Δ=2.97  meV was obtained for the spin splitting. Виміряно магнітопольові залежності опору (до 110 кЕ) гетероструктури Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃ з 2D дірковим газом у квантовій ямі Si₀,₂Ge₀,₈ у інтервалі температур 0,335-10 К та при зміненні струму від 100 нА до 50 мкА. В області сильних магнітних полів було спостережено осциляції Шубнікова де Гааза, а в області слабких полів при H ≤ 1 кE позитивний магнітоопір, який переходить при збільшенні поля у негативний магнітоопір. Ця особливість пояснюється ефектами слабкої локалізації 2D носіїв заряду в умовах близькості часу спін-орбітального розсіювання so та часу непружного розсіювання , та свідчить про розщеплення спінових станів під впливом збуджуючого потенціалу, який пов язаний з формуванням двовимірної потенціальної ями (механізм Рашби). Аналіз ефектів слабкої локалізації дав значення характерних часів релаксації τφ = 7,2T⁻¹×10⁻¹² с, τso = 1,36·10⁻¹² с. З останньої характеристики для вивченої гетероструктури визначено величину спінового розщеплення Δ = 2,97 меВ.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128826
citation_txt Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈ / В.В. Андриевский, А.Ю. Рожещенко, Ю.Ф. Комник, М. Миронов, О.А. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 4. — С. 424-431. — Бібліогр.: 44 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT andrievskiivv kvantovaâinterferenciâispinorbitalʹnyeéffektyvgeterostruktures2ddyročnymgazomvkvantovoiâmesi02ge08
AT rožeŝenkoaû kvantovaâinterferenciâispinorbitalʹnyeéffektyvgeterostruktures2ddyročnymgazomvkvantovoiâmesi02ge08
AT komnikûf kvantovaâinterferenciâispinorbitalʹnyeéffektyvgeterostruktures2ddyročnymgazomvkvantovoiâmesi02ge08
AT mironovm kvantovaâinterferenciâispinorbitalʹnyeéffektyvgeterostruktures2ddyročnymgazomvkvantovoiâmesi02ge08
AT mironovoa kvantovaâinterferenciâispinorbitalʹnyeéffektyvgeterostruktures2ddyročnymgazomvkvantovoiâmesi02ge08
AT vollte kvantovaâinterferenciâispinorbitalʹnyeéffektyvgeterostruktures2ddyročnymgazomvkvantovoiâmesi02ge08
AT andrievskiivv quantuminterferometryandspinorbiteffectsinaheterostructurewitha2dholegasinasi02ge08quantumwell
AT rožeŝenkoaû quantuminterferometryandspinorbiteffectsinaheterostructurewitha2dholegasinasi02ge08quantumwell
AT komnikûf quantuminterferometryandspinorbiteffectsinaheterostructurewitha2dholegasinasi02ge08quantumwell
AT mironovm quantuminterferometryandspinorbiteffectsinaheterostructurewitha2dholegasinasi02ge08quantumwell
AT mironovoa quantuminterferometryandspinorbiteffectsinaheterostructurewitha2dholegasinasi02ge08quantumwell
AT vollte quantuminterferometryandspinorbiteffectsinaheterostructurewitha2dholegasinasi02ge08quantumwell
first_indexed 2025-12-07T18:32:47Z
last_indexed 2025-12-07T18:32:47Z
_version_ 1850875436997804032