Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона

Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона

Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналоги...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2003
Main Authors: Белов, А.Г., Тарасова, Е.И., Юртаева, Е.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2003
Subjects:
Физические свойства криокристаллов
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128847
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона / А.Г. Белов, Е.И. Тарасова, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 5. — С. 539-555. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-128847
record_format dspace
spelling Белов, А.Г.
Тарасова, Е.И.
Юртаева, Е.М.
2018-01-14T10:35:51Z
2018-01-14T10:35:51Z
2003
Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона / А.Г. Белов, Е.И. Тарасова, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 5. — С. 539-555. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 78.55.Hx, 78.60.Hk, 71.35.Cc
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128847
Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналогичными параметрами излучения свободных экситонов, локализованных дырок Xe₂⁺* и примесных центров Хе₂О*, полосы которых регистрировались параллельно. Проанализированы спектры фотовозбуждения полосы А и кривые затухания люминесценции во времени. Излучение с аналогичной структурой с Emax = 2,05 эВ обнаружено также в бинарных кристаллах Ar+Xe при высоких (~10%) концентрациях ксенона. Cделан вывод, что наблюдаемое излучение обусловлено собственными возбужденными состояниями молекулярного типа, локализованными в объеме кристалла и расположенными в зоне проводимости в области энергий вблизи 10 эВ.
A detailed experimental investigation of the basic characteristics of the radiation of crystalline xenon with Emax = 2  eV (A band) is performed as a function of temperature, impurity concentration, lattice perfection, and irradiation dose. The radiation parameters of this band are compared with the same parameters of the radiation of free excitons, localized holes Xe₂⁺* , and impurity centers Xe 2 O * , whose bands were recorded in parallel. The photoexcitation spectra of the A band and the time decay curves of luminescence are analyzed. Radiation with similar structure with E max =2.05  eV is also found in the binary crystals Ar+Xe with high (∼10%) xenon concentrations. It is concluded that the observed radiation is due to intrinsic molecular-type excited states of localized in the interior volume of the crystal and lyingnear 10 eV in the conduction band.
Проведено комплексне експериментальне дослідження основних характеристик випромінювання кристалічного ксенону з Emax = 2 еB (смуга А) у залежності від температури, концентрації домішок, досконалості структури ґратки і дози опромінення. Проведено порівняння параметрів цієї смуги з аналогічними параметрами випромінювання вільних eкситонiв, локалізованих дірок Xe₂⁺* і домішкових центрів Хе₂О*, смуги яких реєструвалися паралельно. Проаналізовано спектри фотозбудження смуги А і криві загасання люмінесценції в часі. Випромінювання з аналогічною структурою з Emax = 2,05 еВ виявлено також у бінарних кристалах Ar+Xe при високих (~10%) концентраціях ксенону. Зроблено висновок, що випромінювання, що спостерігається, обумовлено власними збудженими станами молекулярного типу, локалізованими в об ємі кристала і розташованими в зоні провідності в області енергій близько до 10 еВ.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Физические свойства криокристаллов
Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
Local excitations in the conduction band of crystalline xenon
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
spellingShingle Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
Белов, А.Г.
Тарасова, Е.И.
Юртаева, Е.М.
Физические свойства криокристаллов
title_short Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
title_full Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
title_fullStr Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
title_full_unstemmed Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
title_sort локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
author Белов, А.Г.
Тарасова, Е.И.
Юртаева, Е.М.
author_facet Белов, А.Г.
Тарасова, Е.И.
Юртаева, Е.М.
topic Физические свойства криокристаллов
topic_facet Физические свойства криокристаллов
publishDate 2003
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Local excitations in the conduction band of crystalline xenon
description Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналогичными параметрами излучения свободных экситонов, локализованных дырок Xe₂⁺* и примесных центров Хе₂О*, полосы которых регистрировались параллельно. Проанализированы спектры фотовозбуждения полосы А и кривые затухания люминесценции во времени. Излучение с аналогичной структурой с Emax = 2,05 эВ обнаружено также в бинарных кристаллах Ar+Xe при высоких (~10%) концентрациях ксенона. Cделан вывод, что наблюдаемое излучение обусловлено собственными возбужденными состояниями молекулярного типа, локализованными в объеме кристалла и расположенными в зоне проводимости в области энергий вблизи 10 эВ. A detailed experimental investigation of the basic characteristics of the radiation of crystalline xenon with Emax = 2  eV (A band) is performed as a function of temperature, impurity concentration, lattice perfection, and irradiation dose. The radiation parameters of this band are compared with the same parameters of the radiation of free excitons, localized holes Xe₂⁺* , and impurity centers Xe 2 O * , whose bands were recorded in parallel. The photoexcitation spectra of the A band and the time decay curves of luminescence are analyzed. Radiation with similar structure with E max =2.05  eV is also found in the binary crystals Ar+Xe with high (∼10%) xenon concentrations. It is concluded that the observed radiation is due to intrinsic molecular-type excited states of localized in the interior volume of the crystal and lyingnear 10 eV in the conduction band. Проведено комплексне експериментальне дослідження основних характеристик випромінювання кристалічного ксенону з Emax = 2 еB (смуга А) у залежності від температури, концентрації домішок, досконалості структури ґратки і дози опромінення. Проведено порівняння параметрів цієї смуги з аналогічними параметрами випромінювання вільних eкситонiв, локалізованих дірок Xe₂⁺* і домішкових центрів Хе₂О*, смуги яких реєструвалися паралельно. Проаналізовано спектри фотозбудження смуги А і криві загасання люмінесценції в часі. Випромінювання з аналогічною структурою з Emax = 2,05 еВ виявлено також у бінарних кристалах Ar+Xe при високих (~10%) концентраціях ксенону. Зроблено висновок, що випромінювання, що спостерігається, обумовлено власними збудженими станами молекулярного типу, локалізованими в об ємі кристала і розташованими в зоні провідності в області енергій близько до 10 еВ.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128847
citation_txt Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона / А.Г. Белов, Е.И. Тарасова, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 5. — С. 539-555. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT belovag lokalʹnyevozbuždeniâvzoneprovodimostikristalličeskogoksenona
AT tarasovaei lokalʹnyevozbuždeniâvzoneprovodimostikristalličeskogoksenona
AT ûrtaevaem lokalʹnyevozbuždeniâvzoneprovodimostikristalličeskogoksenona
AT belovag localexcitationsintheconductionbandofcrystallinexenon
AT tarasovaei localexcitationsintheconductionbandofcrystallinexenon
AT ûrtaevaem localexcitationsintheconductionbandofcrystallinexenon
first_indexed 2025-12-02T04:55:33Z
last_indexed 2025-12-02T04:55:33Z
_version_ 1850861571040870400

Similar Items