Электропроводность сверхпроводящих микроконтактов, содержащих магнитные примеси

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2003
• 1. Verfasser: Белобородько, С.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2003
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128898
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электропроводность сверхпроводящих микроконтактов, содержащих магнитные примеси / С.И. Белобородько // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 8. — С. 868-870. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследована нелинейная электропроводность контактов сверхпроводник-сужение-нормальный металл, содержащих магнитные примеси. Проанализировано влияние прозрачности потенциального барьера, который возникает на границе контактирующих металлов, на зависимость проводимости и величину избыточного тока. Показано, что в случае малой прозрачности дифференциальная проводимость такого контакта пропорциональна плотности электронных состояний. The nonlinear electrical conductance of superconductor–constriction–normal-metal contacts containing magnetic impurities is investigated. The influence of the transparency of the potential barrier arising at the boundary of metals in contact on the behavior of the conductance and on the value of the excess current is analyzed. It is shown that in the case of a low transparency the differential conductance of such a contact is proportional to the electron density of states. Дослiджено нелiнійну електропровiднiсть контактiв надпровiдник звуження нормальний метал, що мiстять магнітнi домiшки. Проаналiзовано вплив прозоростi потенцiального бар єра, який виникає на границi металiв, що контактують, на залежнiсть провiдностi та величину надлишкового струму. Показано, що у разi малої прозоростi діференцiйна провіднiсть такого контакту пропорцiйна густинi електронних станiв.