Спектроскопия бозонных возбуждений в гетероструктурах на основе манганитов

• Опубліковано в: Физика низких температур
• Дата: 2003
• ISSN: 0132-6414
• Автори: Белоголовский, М.А., Ревенко, Ю.Ф., Герасименко, А.Ю., Медведев, Ю.В., Черняк, О.И., Свистунов, В.М., Плитник, Дж.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2003
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128903
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Спектроскопия бозонных возбуждений в гетероструктурах на основе манганитов / М.А. Белоголовский, Ю.Ф. Ревенко, А.Ю. Герасименко, Ю.В. Медведев, О.И. Черняк, В.М. Свистунов, Дж. Плитник // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 8. — С. 889-893. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Исследован туннельный токоперенос в слоистых структурах на основе манганита лантана. Восстановлена спектральная функция электрон-бозонного взаимодействия в широком диапазоне энергий. Обнаружены высокоэнергетические возбуждения, локализованные в барьерной и прибарьерной областях. Неупругое рассеяние носителей заряда на этих состояниях может приводить к подавлению магнитосопротивления туннельных переходов с ростом приложенных напряжений. The tunneling current transport is investigated in layered structures based on lanthanum manganite. The spectral function of the electron–boson interaction is reconstructed over a wide energy range. High-energy excitations localized in the barrier and near-barrier regions are revealed. The inelastic scattering of charge carriers on these states can lead to suppression of the magnetoresistance of tunnel junctions with increasing applied voltage. Досліджено тунельне струмоперенесення у шаруватих структурах на основі манганіту лантану. Відновлено спектральну функцію електрон-бозонної взаємодії у широкому діапазоні енергій. Виявлено високоенергетичні збудження, що локалізуються у бар єрній та прибар єрній областях. Непружне розсіювання носіїв заряду на цих станах може приводити до подавлення магнітоопору тунельних переходів із ростом прикладених напруг.