Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2000
• Автори: Мамалуй, А.А., Шелест, Т.Н., Чашка, Х.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
• Теми: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128994
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃ / А.А. Мамалуй, Т.Н. Шелест, Х.Б. Чашка // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 2. — С. 176-180. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Исследованы температурные зависимости электросопротивления квазиодномерного NbSe₃ в интервале 78-550 К в термодинамически равновесном и неравновесном состояниях. В области температур 300-550 К обнаружено экспоненциальное отклонение от линейной зависимости, связанное с образованием термодинамически равновесных вакансий Se. Для изучения влияния собственных точечных дефектов (вакансий) на свойства NbSe₃ при 78-300 К использовался метод закалки. Для образцов с избыточными вакансиями обнаружено аномально большое отклонение от правила Маттиссена (до 150%). The temperature dependence of the electrical resistivity of quasi-one-dimensional NbSe₃ is investigated in the interval 78–550 K in the thermodynamic equilibrium and nonequilibrium states. At temperatures of 300–550 K one observes an exponential deviation from the linear dependence on account of the formation of thermodynamic equilibrium Se vacancies. The influence of intrinsic defects (vacancies) on the properties of NbSe₃ at 78–300 K is investigated by the quenching method. For samples with excess vacancies an anomalously large deviation from the Matthiessen rule (up to 150%) is observed.