Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃

Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃

Исследованы температурные зависимости электросопротивления квазиодномерного NbSe₃ в интервале 78-550 К в термодинамически равновесном и неравновесном состояниях. В области температур 300-550 К обнаружено экспоненциальное отклонение от линейной зависимости, связанное с образованием термодинамически р...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2000
Main Authors: Мамалуй, А.А., Шелест, Т.Н., Чашка, Х.Б.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Subjects:
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128994
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃ / А.А. Мамалуй, Т.Н. Шелест, Х.Б. Чашка // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 2. — С. 176-180. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-128994
record_format dspace
spelling Мамалуй, А.А.
Шелест, Т.Н.
Чашка, Х.Б.
2018-01-14T15:46:01Z
2018-01-14T15:46:01Z
2000
Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃ / А.А. Мамалуй, Т.Н. Шелест, Х.Б. Чашка // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 2. — С. 176-180. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.15.-v
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128994
Исследованы температурные зависимости электросопротивления квазиодномерного NbSe₃ в интервале 78-550 К в термодинамически равновесном и неравновесном состояниях. В области температур 300-550 К обнаружено экспоненциальное отклонение от линейной зависимости, связанное с образованием термодинамически равновесных вакансий Se. Для изучения влияния собственных точечных дефектов (вакансий) на свойства NbSe₃ при 78-300 К использовался метод закалки. Для образцов с избыточными вакансиями обнаружено аномально большое отклонение от правила Маттиссена (до 150%).
The temperature dependence of the electrical resistivity of quasi-one-dimensional NbSe₃ is investigated in the interval 78–550 K in the thermodynamic equilibrium and nonequilibrium states. At temperatures of 300–550 K one observes an exponential deviation from the linear dependence on account of the formation of thermodynamic equilibrium Se vacancies. The influence of intrinsic defects (vacancies) on the properties of NbSe₃ at 78–300 K is investigated by the quenching method. For samples with excess vacancies an anomalously large deviation from the Matthiessen rule (up to 150%) is observed.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃
Influence of intrinsic point defects on the electrophysical properties of NbSe₃
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃
spellingShingle Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃
Мамалуй, А.А.
Шелест, Т.Н.
Чашка, Х.Б.
Низкоразмерные и неупорядоченные системы
title_short Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃
title_full Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃
title_fullStr Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃
title_full_unstemmed Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃
title_sort влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики nbse₃
author Мамалуй, А.А.
Шелест, Т.Н.
Чашка, Х.Б.
author_facet Мамалуй, А.А.
Шелест, Т.Н.
Чашка, Х.Б.
topic Низкоразмерные и неупорядоченные системы
topic_facet Низкоразмерные и неупорядоченные системы
publishDate 2000
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Influence of intrinsic point defects on the electrophysical properties of NbSe₃
description Исследованы температурные зависимости электросопротивления квазиодномерного NbSe₃ в интервале 78-550 К в термодинамически равновесном и неравновесном состояниях. В области температур 300-550 К обнаружено экспоненциальное отклонение от линейной зависимости, связанное с образованием термодинамически равновесных вакансий Se. Для изучения влияния собственных точечных дефектов (вакансий) на свойства NbSe₃ при 78-300 К использовался метод закалки. Для образцов с избыточными вакансиями обнаружено аномально большое отклонение от правила Маттиссена (до 150%). The temperature dependence of the electrical resistivity of quasi-one-dimensional NbSe₃ is investigated in the interval 78–550 K in the thermodynamic equilibrium and nonequilibrium states. At temperatures of 300–550 K one observes an exponential deviation from the linear dependence on account of the formation of thermodynamic equilibrium Se vacancies. The influence of intrinsic defects (vacancies) on the properties of NbSe₃ at 78–300 K is investigated by the quenching method. For samples with excess vacancies an anomalously large deviation from the Matthiessen rule (up to 150%) is observed.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128994
citation_txt Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe₃ / А.А. Мамалуй, Т.Н. Шелест, Х.Б. Чашка // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 2. — С. 176-180. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT mamaluiaa vliâniesobstvennyhtočečnyhdefektovnaélektrofizičeskieharakteristikinbse3
AT šelesttn vliâniesobstvennyhtočečnyhdefektovnaélektrofizičeskieharakteristikinbse3
AT čaškahb vliâniesobstvennyhtočečnyhdefektovnaélektrofizičeskieharakteristikinbse3
AT mamaluiaa influenceofintrinsicpointdefectsontheelectrophysicalpropertiesofnbse3
AT šelesttn influenceofintrinsicpointdefectsontheelectrophysicalpropertiesofnbse3
AT čaškahb influenceofintrinsicpointdefectsontheelectrophysicalpropertiesofnbse3
first_indexed 2025-12-07T13:30:56Z
last_indexed 2025-12-07T13:30:56Z
_version_ 1850856446914199552

Similar Items