Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2001
• Hauptverfasser: Кузьменко, В.М., Лазарев, Б.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
• Schlagworte: Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129016
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов / В.М. Кузьменко, Б.Г. Лазарев // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1128-1137. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

Исследована релаксация 
 
 электросопротивления в аморфных пленках Bi, Yb, Be, Mn при низких температурах. Показано, 
 
 что этот процесс при изотермической выдержке является, как правило, простым 
 
 экспоненциальным процессом с единственным характерным временем релаксации. В аморфных 
 
 плeнках металл-водород, по-видимому, имеет место подбарьерное туннелирование атомов 
 
 водорода. С этим мы связываем, в частности, задержку появления сверхпроводимости при T=4,2 
 
 K после завершения конденсации аморфных плeнок Be-H. The relaxation of the electrical resistance in amorphous films of Bi, Yb, Be, and Mn is investigated at low temperatures. It is shown that this process during an isothermal hold is ordinarily a simple exponential process with a single characteristic relaxation time. In amorphous metal–hydrogen films a subbarrier tunneling of hydrogen atoms apparently occurs. It is conjectured that this is the cause of the delay in the onset of superconductivity at T=4.2 K after completion of the condensation of amorphous Be–H films.