Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов

Исследована релаксация электросопротивления в аморфных пленках Bi, Yb, Be, Mn при низких температурах. Показано, что этот процесс при изотермической выдержке является, как правило, простым экспоненциальным процессом с единственным характерным временем релаксации. В аморфных плeнках м...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2001
Hauptverfasser: Кузьменко, В.М., Лазарев, Б.Г.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129016
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов / В.М. Кузьменко, Б.Г. Лазарев // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1128-1137. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129016
record_format dspace
spelling Кузьменко, В.М.
Лазарев, Б.Г.
2018-01-15T11:53:37Z
2018-01-15T11:53:37Z
2001
Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов / В.М. Кузьменко, Б.Г. Лазарев // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1128-1137. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 61.43.Dq, 64.70.Pf, 74.80.Bj
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129016
Исследована релаксация электросопротивления в аморфных пленках Bi, Yb, Be, Mn при низких температурах. Показано, что этот процесс при изотермической выдержке является, как правило, простым экспоненциальным процессом с единственным характерным временем релаксации. В аморфных плeнках металл-водород, по-видимому, имеет место подбарьерное туннелирование атомов водорода. С этим мы связываем, в частности, задержку появления сверхпроводимости при T=4,2 K после завершения конденсации аморфных плeнок Be-H.
The relaxation of the electrical resistance in amorphous films of Bi, Yb, Be, and Mn is investigated at low temperatures. It is shown that this process during an isothermal hold is ordinarily a simple exponential process with a single characteristic relaxation time. In amorphous metal–hydrogen films a subbarrier tunneling of hydrogen atoms apparently occurs. It is conjectured that this is the cause of the delay in the onset of superconductivity at T=4.2 K after completion of the condensation of amorphous Be–H films.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова
Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
Relaxation processes in amorphous films of monoatomic metals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
spellingShingle Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
Кузьменко, В.М.
Лазарев, Б.Г.
Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова
title_short Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
title_full Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
title_fullStr Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
title_full_unstemmed Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
title_sort релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
author Кузьменко, В.М.
Лазарев, Б.Г.
author_facet Кузьменко, В.М.
Лазарев, Б.Г.
topic Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова
topic_facet Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова
publishDate 2001
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Relaxation processes in amorphous films of monoatomic metals
description Исследована релаксация электросопротивления в аморфных пленках Bi, Yb, Be, Mn при низких температурах. Показано, что этот процесс при изотермической выдержке является, как правило, простым экспоненциальным процессом с единственным характерным временем релаксации. В аморфных плeнках металл-водород, по-видимому, имеет место подбарьерное туннелирование атомов водорода. С этим мы связываем, в частности, задержку появления сверхпроводимости при T=4,2 K после завершения конденсации аморфных плeнок Be-H. The relaxation of the electrical resistance in amorphous films of Bi, Yb, Be, and Mn is investigated at low temperatures. It is shown that this process during an isothermal hold is ordinarily a simple exponential process with a single characteristic relaxation time. In amorphous metal–hydrogen films a subbarrier tunneling of hydrogen atoms apparently occurs. It is conjectured that this is the cause of the delay in the onset of superconductivity at T=4.2 K after completion of the condensation of amorphous Be–H films.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129016
citation_txt Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов / В.М. Кузьменко, Б.Г. Лазарев // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1128-1137. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kuzʹmenkovm relaksacionnyeprocessyvamorfnyhplenkahmonoatomnyhmetallov
AT lazarevbg relaksacionnyeprocessyvamorfnyhplenkahmonoatomnyhmetallov
AT kuzʹmenkovm relaxationprocessesinamorphousfilmsofmonoatomicmetals
AT lazarevbg relaxationprocessesinamorphousfilmsofmonoatomicmetals
first_indexed 2025-12-07T18:17:46Z
last_indexed 2025-12-07T18:17:46Z
_version_ 1850874492641869824