Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов
Исследована релаксация 
 
 электросопротивления в аморфных пленках Bi, Yb, Be, Mn при низких температурах. Показано, 
 
 что этот процесс при изотермической выдержке является, как правило, простым 
 
 экспоненциальным процессом с единственным характерн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129016 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов / В.М. Кузьменко, Б.Г. Лазарев // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1128-1137. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862718980551081984 |
|---|---|
| author | Кузьменко, В.М. Лазарев, Б.Г. |
| author_facet | Кузьменко, В.М. Лазарев, Б.Г. |
| citation_txt | Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов / В.М. Кузьменко, Б.Г. Лазарев // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1128-1137. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследована релаксация 

электросопротивления в аморфных пленках Bi, Yb, Be, Mn при низких температурах. Показано, 

что этот процесс при изотермической выдержке является, как правило, простым 

экспоненциальным процессом с единственным характерным временем релаксации. В аморфных 

плeнках металл-водород, по-видимому, имеет место подбарьерное туннелирование атомов 

водорода. С этим мы связываем, в частности, задержку появления сверхпроводимости при T=4,2 

K после завершения конденсации аморфных плeнок Be-H.
The relaxation of the electrical resistance in amorphous films of Bi, Yb, Be, and Mn is investigated at low temperatures. It is shown that this process during an isothermal hold is ordinarily a simple exponential process with a single characteristic relaxation time. In amorphous metal–hydrogen films a subbarrier tunneling of hydrogen atoms apparently occurs. It is conjectured that this is the cause of the delay in the onset of superconductivity at T=4.2 K after completion of the condensation of amorphous Be–H films.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:17:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129016 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:17:46Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кузьменко, В.М. Лазарев, Б.Г. 2018-01-15T11:53:37Z 2018-01-15T11:53:37Z 2001 Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов / В.М. Кузьменко, Б.Г. Лазарев // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1128-1137. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 61.43.Dq, 64.70.Pf, 74.80.Bj https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129016 Исследована релаксация 
 
 электросопротивления в аморфных пленках Bi, Yb, Be, Mn при низких температурах. Показано, 
 
 что этот процесс при изотермической выдержке является, как правило, простым 
 
 экспоненциальным процессом с единственным характерным временем релаксации. В аморфных 
 
 плeнках металл-водород, по-видимому, имеет место подбарьерное туннелирование атомов 
 
 водорода. С этим мы связываем, в частности, задержку появления сверхпроводимости при T=4,2 
 
 K после завершения конденсации аморфных плeнок Be-H. The relaxation of the electrical resistance in amorphous films of Bi, Yb, Be, and Mn is investigated at low temperatures. It is shown that this process during an isothermal hold is ordinarily a simple exponential process with a single characteristic relaxation time. In amorphous metal–hydrogen films a subbarrier tunneling of hydrogen atoms apparently occurs. It is conjectured that this is the cause of the delay in the onset of superconductivity at T=4.2 K after completion of the condensation of amorphous Be–H films. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов Relaxation processes in amorphous films of monoatomic metals Article published earlier |
| spellingShingle | Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов Кузьменко, В.М. Лазарев, Б.Г. Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова |
| title | Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов |
| title_alt | Relaxation processes in amorphous films of monoatomic metals |
| title_full | Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов |
| title_fullStr | Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов |
| title_full_unstemmed | Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов |
| title_short | Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов |
| title_sort | релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов |
| topic | Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова |
| topic_facet | Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129016 |
| work_keys_str_mv | AT kuzʹmenkovm relaksacionnyeprocessyvamorfnyhplenkahmonoatomnyhmetallov AT lazarevbg relaksacionnyeprocessyvamorfnyhplenkahmonoatomnyhmetallov AT kuzʹmenkovm relaxationprocessesinamorphousfilmsofmonoatomicmetals AT lazarevbg relaxationprocessesinamorphousfilmsofmonoatomicmetals |