ЯМР-исследование низкотемпературной фазы диоксида ванадия
Методом магнитного резонанса на ядрах ⁵¹V определены константы магнитного экранирования и квадрупольного взаимодействия ядер ⁵¹V в низкотемпературной (непроводящей) фазе диоксида ванадия. Показано, что переход металл-диэлектрик в VO₂ сопровождается изменением знака констант магнитного экранирования...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129042 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | ЯМР-исследование низкотемпературной фазы диоксида ванадия / Л.А. Боярский, С.П. Габуда, С.Г. Козлова // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 2. — С. 197-203. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Методом магнитного резонанса на ядрах ⁵¹V определены константы магнитного экранирования и квадрупольного взаимодействия ядер ⁵¹V в низкотемпературной (непроводящей) фазе диоксида ванадия. Показано, что переход металл-диэлектрик в VO₂ сопровождается изменением знака констант магнитного экранирования и электронным переходом 2V⁴⁺ → V³⁺+V⁵⁺, сопровождаемым зарядовым упорядочением в катионной подрешетке.
The magnetic shielding and quadrupole interaction constants of ⁵¹Vnuclei in the low-temperature (nonconducting) phase of vanadium dioxide are determined by magnetic resonance on the ⁵¹V nuclei. It is shown that the metal–insulator transition in VO₂ is accompanied by a change in the sign of the magnetic shielding constant and by an electronic transition 2V⁴⁺ → V³⁺+V⁵⁺ which is accompanied by a charge ordering in the cation sublattice.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |