Стимуляция десорбции аргона примесью кислорода

Исследовано влияние примеси кислорода на эффективность десорбции возбужденных атомов и молекул с поверхности кристаллического аргона. Обнаружено значительное увеличение выхода десорбированных частиц при концентрации 1ат.% O₂ в матрице аргона. Показано, что примесь ксенона не приводит к аналогичному...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2000
Hauptverfasser: Белов, А.Г., Юртаева, Е.М., Фуголь, И.Я.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129043
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Стимуляция десорбции аргона примесью кислорода / А.Г. Белов, Е.М. Юртаева, И.Я. Фуголь // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 2. — С. 204-213. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Исследовано влияние примеси кислорода на эффективность десорбции возбужденных атомов и молекул с поверхности кристаллического аргона. Обнаружено значительное увеличение выхода десорбированных частиц при концентрации 1ат.% O₂ в матрице аргона. Показано, что примесь ксенона не приводит к аналогичному эффекту. Предложены возможные механизмы стимуляции десорбции аргона примесью кислорода. Один из них может быть обусловлен образованием микрокластеров аргона вокруг иона O¯ вблизи поверхности кристалла. Второй может быть связан с увеличением вероятности рекомбинации Ar₂⁺ с электроном за счет перескока отрицательного заряда между ионами O₂⁻ и Ar₂⁺ The influence of an oxygen impurity on the efficiency of desorption of excited atoms and molecules from the surface of crystalline argon is investigated. A significant increase in the yield of desorbed particles is observed at an O₂ concentration of 1 at. % in the argon host matrix. It is shown that a xenon impurity does not have a similar effect. Possible mechanisms are proposed for the stimulation of argon desorption by impurity oxygen. One of them may involve the formation of argon microclusters around O¯ ions near the surface of the crystal. Another mechanism may be due to an increase in the probability of recombination of Ar₂⁺ with an electron on account of the hopping of the negative charge between the O₂⁻ and Ar₂⁺ ions.
ISSN:0132-6414