Особенности кинетики свечения ионов Pr³+ в кристалле Y₂SiO₅

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2000
• Hauptverfasser: Малюкин, Ю.В., Борисов, Р.С., Лебеденко, А.Н., Леонюк, Н.И., Roth, M.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
• Schlagworte: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129073
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности кинетики свечения ионов Pr³+ в кристалле Y₂SiO₅ / Ю.В. Малюкин, Р.С. Борисов, А.Н. Лебеденко, Н.И. Леонюк, M. Roth // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 5. — С. 494-498. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Обнаружено зависящее от температуры изменение кинетики затухания свечения в спектрах люминесценции примесных ионов Pr³⁺ в кристалле Y₂SiO₅. На основании отклонения закона затухания свечения от моноэкспоненциального и характерного фронта нарастания в кинетике свечения установлено наличие зависящего от температуры переноса энергии электронного возбуждения между двумя оптическими центрами в кристалле Y₂SiO₅. A temperature-dependent change in the decay kinetics of the luminescence of Pr³⁺ impurity ions in the Y₂SiO₅ crystal is observed. On the basis of the deviation of the luminescence decay law from a single-exponential form and the presence of a characteristic rising front in the luminescence kinetics it is established that there is a temperature-dependent transfer of electronic excitation energy between two optical centers in the Y₂SiO₅ crystal.