Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2000
• Автор: Шикин, В.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
• Теми: Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129077
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Эффект насыщения в задаче о микроволновом поглощении энергии 2D электронами на пленке гелия / В.Б. Шикин // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 6. — С. 536-540. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Обсуждаются детали поглощения ВЧ электромагнитного поля 2D электронами на тонкой пленке гелия в зависимости от величины прижимающего электрического поля. Отмечена связь этой задачи с проблемой насыщения в 2D электронной системе. Специально изучен случай цилиндрической геометрии, качественно отвечающий условиям эксперимента в [1]. Показано, что полученные данные относительно полевой зависимости поглощения энергии ВЧ поля 2D электронами содержат информацию о пересыщенных электронных состояниях в ячейке. The details of the absorption of an rf electromagnetic field by two-dimensional (2D) electrons on a thin film of helium in relation to the confining electric field are discussed. The connection between this problem and the problem of saturation in a 2D electron system is noted. A special study is made for the case of cylindrical geometry, which corresponds qualitatively to the conditions of the experiment of B. Lehndorff and K. Dransfeld, J. Phys. (Paris) 50, 2579 (1989). It is shown that the data obtained on the field dependence of the absorption of rf field energy by 2D electrons contains information about the supersaturated electronic states in the cell.