Неупругие эффекты в двойных туннельных структурах Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb
Созданы двойные туннельные переходы Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb с происходящими в них неупругими туннельными процессами. Исследуется увеличение сверхпроводникового параметра порядка в средней пленке Pb при варьировании температуры, толщины пленки и удельного сопротивления слоя Cr₂O₃ . Результаты интерпрети...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| ISSN: | 0132-6414 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129091 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Неупругие эффекты в двойных туннельных структурах Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb / Ю.И. Степуренко, В.Е. Шатерник, Э.М. Руденко // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 7. — С. 642-647. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Созданы двойные туннельные переходы Cr-Cr₂O₃-Pb-SnxOy-Pb с происходящими в них неупругими туннельными процессами. Исследуется увеличение сверхпроводникового параметра порядка в средней пленке Pb при варьировании температуры, толщины пленки и удельного сопротивления слоя Cr₂O₃ . Результаты интерпретируются в рамках теоретических моделей неупругих туннельных про-цессов, развитых Киртли, Зайделем, Грайцаром и др.
Cr–Cr₂O₃–Pb–SnxOy–Pb double tunnel junctions in which inelastic tunneling processes occur, are fabricated. The change in the superconducting order parameter in the middle Pb film upon variation of the temperature, film thickness, and resistivity of the Cr₂O₃ layer is investigated. The results are interpreted in the framework of theoretical models developed by Kirtley, Seidel, Grajcar, and others for inelastic tunneling processes.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |