Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2016
• Автори: Горбунов, А.В., Тимофеев, В.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
• Теми: К 100-летию со дня рождения К.Б. Толпыго
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129103
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре / А.В. Горбунов, В.Б. Тимофеев // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 5. — С. 438-446. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Проанализированы эксперименты, связанные с исследованиями когерентности бозе-конденсата диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетеростуктуре с широкой одиночной GaAs квантовой ямой и шоттки-затвором. Диполярные экситоны возбуждались светом в кольцевой ловушке, возникающей вдоль периметра окна в металли...