Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direct conductance
The rare-earth Kondo semiconductor CeNiSn is investigated by point-contact and tunneling spectroscopy using mechanically controllable break junctions. I(V) characteristics and their derivatives are recorded for contacts from the metallic to the tunneling regime at temperatures between 0.1–8 K and in...
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| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
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| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129106 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direct conductance / Yu.G. Naidyuk, K. Gloos, T. Takabatake // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 7. — С. 687-693. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Institution
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