Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах

• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Шатерник, В.Е., Шаповалов, А.П., Суворов, А.В., Скорик, Н.А., Белоголовский, М.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: К 100-летию со дня рождения К.Б. Толпыго
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129120
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах / В.Е. Шатерник, А.П. Шаповалов, А.В. Суворов, Н.А. Скорик, М.А. Белоголовский // Физика низких температур. — 2003. — Т. 42, № 5. — С. 544-547. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры, состоящие из сверхпроводниковых обкладок (сплав молибдена с рением) и допированного вольфрамом наноразмерного слоя кремния. В интервале напряжений от –800 до 800 мВ и при температурах 4,2–8 К были измерены вольт-амперные характеристики таких переходов, на которых впервые наблюдались локальные максимумы тока на фоне скачкообразного увеличения его величины. Положения этих особенностей, симметричных относительно нуля напряжений, менялись от образца к образцу в пределах 40–300 мВ. С ростом температуры они размывались и полностью пропадали с исчезновением сверхпроводимости в электродах. Природу наблюдаемых сингулярностей мы связываем с особенностями электронного туннелирования через локализованные в полупроводниковом барьере примесные состояния. Использование сверхпроводящего электрода усиливает взаимодействие локализованного электрона с электронами проводимости благодаря корневой расходимости в плотности электронных состояний сверхпроводника.