Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах
Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры, состоящие из сверхпроводниковых обкладок (сплав молибдена с рением) и допированного вольфрамом наноразмерного слоя кремния. В интервале напряжений от –800 до 800 мВ и при температурах 4,2–8 К были измерены вольт-амперные характе...
Saved in:
| Date: | 2016 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2016
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129120 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Туннелирование через локализованные барьерные состояния в сверхпроводниковых гетероструктурах / В.Е. Шатерник, А.П. Шаповалов, А.В. Суворов, Н.А. Скорик, М.А. Белоголовский // Физика низких температур. — 2003. — Т. 42, № 5. — С. 544-547. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |