Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии
Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с δ⟨Bс)-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5×10¹³-2,2×10¹⁴ см⁻² . Показано, что эти зависимости успешно объясняются проявлением эффект...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2000 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129193 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, М. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 815-820. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862735401593077760 |
|---|---|
| author | Красовицкий, Вит.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, М. Волл, Т.Е. |
| author_facet | Красовицкий, Вит.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, М. Волл, Т.Е. |
| citation_txt | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, М. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 815-820. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с δ⟨Bс)-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5×10¹³-2,2×10¹⁴ см⁻² . Показано, что эти зависимости успешно объясняются проявлением эффектов слабой локализации и взаимодействия подвижных носителей заряда (дырок) в двумерной электронной системе в условиях сильного спин-орбитального взаимодействия. Из анализа поведения квантовых поправок определена температурная зависимость времени фазовой релаксации носителей τφ=AT⁻¹ , где A≈(1,4±0,3)×10⁻¹²K⋅c, рассматриваемая как проявление процессов междырочного рассеяния, а также получены значения константы взаимодействия (λT≈ 0,64- 0,73).
The behavior of the conductance upon changes in temperature (in the interval 1.5–40 K) and magnetic field (up to 20 kOe) is investigated for a series of samples with a δ〈B〉 layer in Si, with hole concentrations in the conducting δ layer of 2.5×10¹³–2.2×10¹⁴ cm⁻². It is shown that the temperature and field dependences obtained can be explained successfully as a manifestation of the weak localization effect and the interaction of mobile charge carriers (holes) in a two-dimensional electron system under conditions of strong spin–orbit interaction. An analysis of the behavior of the quantum corrections yields the temperature dependence of the phase relaxation time of the carriers, τφ=AT⁻¹, with A≈(1.4±0.3)×10⁻¹² K⋅s, where this temperature dependence is treated as a manifestation of hole–hole scattering processes, and the values of the interaction constants are also obtained (λT≈0.64–0.73).
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:48:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-129193 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:48:00Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Красовицкий, Вит.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, М. Волл, Т.Е. 2018-01-16T17:57:52Z 2018-01-16T17:57:52Z 2000 Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, М. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 815-820. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 72.20.Fz https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129193 Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с δ⟨Bс)-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5×10¹³-2,2×10¹⁴ см⁻² . Показано, что эти зависимости успешно объясняются проявлением эффектов слабой локализации и взаимодействия подвижных носителей заряда (дырок) в двумерной электронной системе в условиях сильного спин-орбитального взаимодействия. Из анализа поведения квантовых поправок определена температурная зависимость времени фазовой релаксации носителей τφ=AT⁻¹ , где A≈(1,4±0,3)×10⁻¹²K⋅c, рассматриваемая как проявление процессов междырочного рассеяния, а также получены значения константы взаимодействия (λT≈ 0,64- 0,73). The behavior of the conductance upon changes in temperature (in the interval 1.5–40 K) and magnetic field (up to 20 kOe) is investigated for a series of samples with a δ〈B〉 layer in Si, with hole concentrations in the conducting δ layer of 2.5×10¹³–2.2×10¹⁴ cm⁻². It is shown that the temperature and field dependences obtained can be explained successfully as a manifestation of the weak localization effect and the interaction of mobile charge carriers (holes) in a two-dimensional electron system under conditions of strong spin–orbit interaction. An analysis of the behavior of the quantum corrections yields the temperature dependence of the phase relaxation time of the carriers, τφ=AT⁻¹, with A≈(1.4±0.3)×10⁻¹² K⋅s, where this temperature dependence is treated as a manifestation of hole–hole scattering processes, and the values of the interaction constants are also obtained (λT≈0.64–0.73). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Электpонные свойства металлов и сплавов Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии Quantum interference effects in delta layers of boron in silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии Красовицкий, Вит.Б. Комник, Ю.Ф. Миронов, М. Волл, Т.Е. Электpонные свойства металлов и сплавов |
| title | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии |
| title_alt | Quantum interference effects in delta layers of boron in silicon |
| title_full | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии |
| title_fullStr | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии |
| title_full_unstemmed | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии |
| title_short | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии |
| title_sort | эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии |
| topic | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| topic_facet | Электpонные свойства металлов и сплавов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129193 |
| work_keys_str_mv | AT krasovickiivitb éffektykvantovoiinterferenciivdelʹtasloâhboravkremnii AT komnikûf éffektykvantovoiinterferenciivdelʹtasloâhboravkremnii AT mironovm éffektykvantovoiinterferenciivdelʹtasloâhboravkremnii AT vollte éffektykvantovoiinterferenciivdelʹtasloâhboravkremnii AT krasovickiivitb quantuminterferenceeffectsindeltalayersofboroninsilicon AT komnikûf quantuminterferenceeffectsindeltalayersofboroninsilicon AT mironovm quantuminterferenceeffectsindeltalayersofboroninsilicon AT vollte quantuminterferenceeffectsindeltalayersofboroninsilicon |