Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии
Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с δ⟨Bс)-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5×10¹³-2,2×10¹⁴ см⁻² . Показано, что эти зависимости успешно объясняются проявлением эффект...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2000 |
| Main Authors: | Красовицкий, Вит.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, М., Волл, Т.Е. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129193 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, М. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 815-820. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
by: Каширин, В.Ю., et al.
Published: (1996) -
Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
by: Каширин, В.Ю., et al.
Published: (1996) -
Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
by: Каширин, В.Ю., et al.
Published: (1997) -
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
by: Комник, Ю.Ф., et al.
Published: (2000) -
Генерация неравновесных фононов и фонон-электронное увлечение в висмуте
by: Красовицкий, Вит.Б., et al.
Published: (1999)