Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI–Tl при низкотемпературной деформации

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2016
• Автори: Шункеев, К.Ш., Жантурина, Н.Н., Аймаганбетова, З.К., Бармина, A.A., Мясникова, Л.Н., Сагимбаева, Ш.Ж., Сергеев, Д.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
• Теми: Low-Temperature Radiation Effects in Wide Gap Materials
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129197
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI–Tl при низкотемпературной деформации / К.Ш. Шункеев, Н.Н. Жантурина, З.К. Аймаганбетова, А.А. Бармина, Л.Н. Мясникова, Ш.Ж. Сагимбаева, Д.М. Сергеев // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 7. — С. 738-742. — Бібліогр.: 34 назв. — рос.

В кристалле KI–Tl по регистрации спектров рентгенолюминесценции установлено воздействие низкотемпературной одноосной деформации на длину свободного пробега экситона до автолокализации.
 Анализ соотношения интенсивностей свечения таллиевого (2,85 эВ) и автолокализованного экситонов (π-компоне...